N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
IRF7465TRPBF
SMD(SO)/表面封装
IR/国际整流器
SW-REG/开关电源
N沟道
增强型
2.5W
1.9A
150V
企业名：深圳四海联创电子科技有限公司
类型：经销商
电话：
手机：13510200925
联系人：柯创林
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北中航路高科德电子商场61823室
∟ 稳压二极管(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(1)∟ 肖特基二极管(1)
SMPSMOSFET
HEXFET®功率MOSFET
| VDSS | RDS(on) max | ID |
| 150V | 0.28?@VGS= 10V | 1.9A |
参数
| FET 类型 | FET 功能 | 漏源*电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） | 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） | 不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） | 不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) | 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 功率 - *大值 |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 | 标准 | 150V | 1.9A | 280 毫欧 @ 1.14A，10V | 5.5V @ 250µA | 15nC @ 10V | 330pF @ 25V | 2.5W |
应用
高频率DC-DC转换器
优点
低栅*漏*电荷减少
开关损耗
充分界定电容包括
*COSS简化设计（见
应用程序。注AN1001）
充分界定雪崩电压
和电流
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
