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场效应管 SUB85N03-04P / SUB85N03-04 / SUB85N03 / 85N03

场效应管 SUB85N03-04P / SUB85N03-04 / SUB85N03 / 85N03
场效应管 SUB85N03-04P / SUB85N03-04 / SUB85N03 / 85N03
  • 品牌/商标:

    Vishay Siliconix

  • 型号/规格:

    SUB85N03-04P

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压:

    2(V)

  • *间电容:

    4500(pF)

  • 漏*电流:

    85,000(mA)

  • 耗散功率:

    3.750(mW)

普通会员
  • 企业名:深圳市福田区丰尔电子商行

    类型:经销商

    电话:

    联系人:杨金海

    地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北华强电子世界10A051

商品信息 更新时间:2012-12-15

SUB85N03-04P中文资料:

制造商

Vishay Siliconix

制造商*件编号

SUB85N03-04P

描述

MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

-

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

逻辑电平门

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C

4.3毫欧@ 10V

漏*至源*电压(Vdss)

30V

电流-连续漏*(Id) @ 25° C

85A

Id时的Vgs(th)(*大)

2V @ 250mA 

闸电荷(Qg) @ Vgs

90nC

Vds时的输入电容(Ciss)

4500pF @ 25V

功率-*大

3.75W

安装类型

表面贴装 

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB

供应商设备封装

D2PAK

包装

带卷(TR)

 


公司照片:









 

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类型:经销商

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