FAIRCHILD/*童
FGH60N60 FGH60N60SMD
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-HBM/半桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
M*金属半导体
22(V)
22(V)
22(μS)
22(pF)
类型:经销商
电话:
联系人:陈义伟
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强三店3A132(佳和大厦)
∟ 结型场效应管(267)
*童IGBT*原装场效应管 FGH60N60 FGH60N60SMD
*童IGBT*原装场效应管 FGH60N60 FGH60N60SMD
FGH60N60 FGH60N60SMD产品规格 参数
数据列表 FGH60N60SMD
标准包装 150
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 场截止
电压 - 集电*发射*击穿(*大) 600V
Vge, Ic时的*大Vce(开) 2.5V @ 15V, 60A
电流 - 集电* (Ic)(*大) 120A
功率 - *大 600W
输入类型 标准型
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247-3
包装 管件
FGH60N60 FGH60N60SMD 300/盒,30/管
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司