FAIRCHILD/*童
FQP9N50C
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-TPBM/三相桥
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
33(V)
33(V)
33(μS)
33(pF)
类型:经销商
电话:
联系人:陈义伟
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强三店3A132(佳和大厦)
∟ 结型场效应管(267)
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管*性: N-Channel
电阻汲*/源* RDS(导通): 0.8 Ohms
正向跨导 gFS(*大值/*小值) : 6.5 S
汲*/源*击穿电压: 500 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏*连续电流: 9 A
功率耗散: 135 W
*大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
封装: Tube
*小工作温度: - 55 C
*件号别名: FQP9N50C_NL
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司