FAIRCHILD/*童
FQA6N90
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
P-FET硅P沟道
类型:经销商
电话:
联系人:陈义伟
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强三店3A132(佳和大厦)
∟ 结型场效应管(267)
*童FSC*原装正品场效应管 FQA6N90
*童FSC*原装正品场效应管 FQA6N90
FQA6N90 产品规格 参数 PDF
Datasheets FQA6N90
Standard Package 450
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series QFET™
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 6.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 Ohm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 52nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1880pF @ 25V
Power - Max 198W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-*-3, SC-65-3
Supplier Device Package TO-*
Packaging Tube
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司