TOSHIBA/东芝
2SK2717
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
CER-DIP/陶瓷直插
M*金属半导体
8（V）
6（V）
4（μS）
3（pF）
类型：经销商
电话：
联系人：赵羽
地址：上海中国 上海市虹口区 四川北路1851号1908室
∟ 结型场效应管(15)
我们是东芝授权的代理商，原装*。
| 部件型号 | 2SK2717 | |
| *性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 900 V | |
| 漏电流ID | 5 A | |
| 漏功耗PD | 45 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 45 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 2.5 Ω | |
| 封装 | TO-220NIS | |
| 管脚数 | 3 | |
| 表面安装型 | N | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 700V<VDSS) |
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