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IGBT管1*H30D-060

供应IGBT管1*H30D-060

供应IGBT管1*H30D-060

品牌：
FUJI/富士通
型号：
1*H30D-060
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
MW/微波
封装外形：
CHIP/小型片状
材料：
N-FET硅N沟道
开启电压：
*（V）
夹断电压：
*（V）
跨导：
*（μS）
*间电容：
*（pF）

发布询价信息

普通会员

企业名：结型场效应管张科

类型：生产企业

电话：

联系人：张科

地址：广东汕头中国广东汕头市潮南区陈店沿江南路5横3号兴科电子公司

产品分类

场效应管MOSFET(13)
∟ 结型场效应管(11)

新品上架

商品信息

公司经营：逆变器用的大电流场效应管。充电器用的高压管。电源模块，（YDS，KIC稳压模块）品种*，质量*。自主生产降压模块KIC-125。车载逆变器，太阳能逆变器，电动车充电器。

有需要的朋友联

联系方式

企业名：结型场效应管张科

类型：生产企业

电话：

联系人：张科

地址：广东汕头中国广东汕头市潮南区陈店沿江南路5横3号兴科电子公司

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