SIL美德硅技术
SI2328DS-T1-E3
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
D/变频换流
SMD(SO)/表面封装
IGBT*缘栅比*
1(V)
1(V)
1(μS)
1(pF)
企业名:北京天泰恒洲科技有限公司
类型:生产企业
电话:
联系人:廖汉鑫
地址:北京中国 北京市丰台区 北京市海淀区中关村大街32号蓝天科技综合楼B1-F5中发电子市场中心F1150号
∟ MOSFET(7)
VISHAY SILICONIX - SI2328DS-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N SOT-23
| 制造商: VISHAY SILICONIX 库存编号: 1470107 制造商编号: SI2328DS-T1-E3 RoHS协从产品:是 描述 · 晶体管*性:N · 漏*电流, Id*大值:1.15A · 电压, Vds*大:100V · 开态电阻, Rds(on):0.25ohm · 电压@ Rds测量:10V · 电压, Vgs*高:4V · 功耗:730mW · 封装类型:SOT-23 · 针脚数:3 · 封装类型:SOT-23 · 晶体管类型:MOSFET · 电压Vgs @ Rds on测量:10V · 电压, Vds典型值:100V · 电流, Id连续:1.5A · 表面安装器件:表面安装 · 阈值电压, Vgs th典型值:4V |
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