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SI2314DS-T1-E3北京天泰恒洲科技(图)

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商品信息 更新时间：2012-12-17

VISHAY SILICONIX - SI2314EDS-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N TO-236

制造商:

VISHAY SILICONIX

制造商编号:

SI2314EDS-T1-E3

RoHS协从产品: 是

描述

· 晶体管*性:N

· 漏*电流, Id*大值:4.9A

· 电压, Vds*大:20V

· 开态电阻, Rds(on):0.033ohm

· 电压@ Rds测量:4.5V

· 电压, Vgs*高:950mV

· 功耗:750mW

· 封装类型:TO-236

· 针脚数:3

· 封装类型:TO-236

· 晶体管??型:MOSFET

· 电压Vgs @ Rds on测量:4.5V

· 电压, Vds典型值:20V

· 电流, Id连续:4.9A

· 表面安装器件:表面安装

· 阈值电压, Vgs th典型值:0.95V

联系方式

企业名：北京天泰恒洲科技有限公司

类型：生产企业

电话：

联系人：廖汉鑫

地址：北京中国北京市丰台区北京市海淀区中关村大街32号蓝天科技综合楼B1-F5中发电子市场中心F1150号

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