场效应管 IRFZ24

品牌：
SAM韩国三星
型号：
IRFZ24
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
P沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
CC/恒流
封装外形：
CHIP/小型片状
材料：
ALGaAS铝镓砷
开启电压：
456（V）
夹断电压：
56（V）
低频跨导：
56（μS）
*间电容：
45（pF）

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产品分类

场效应管MOSFET(3)
∟ 结型场效应管(3)

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商品信息

DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Apr 17
1999 Apr 12
DISCRETE SEMICONDU*ORS
BC856; BC857
PNP general purpose transistors
book, halfpage
M3D088
123

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