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09+/10+
N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
IRF3315
P-DIT/塑料双列直插
IR/国际整流器
L/功率放大
N沟道
增强型
TO-220
类型：经销商
电话：
联系人：陈瑞展
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北路新亚洲电子市场二期N3A011 深圳市南山科技园桑达科技大厦9楼
∟ 整流二极管(4)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(1)∟ 瞬态(变)抑制二极管(1)∟ 肖特基二极管(4)
数据列表 | IRF3315 |
产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源*电压 (Vdss) | 150V |
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） | 27A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） | 70 毫欧 @ 12A，10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) | 95nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1300pF @ 25V |
功率 - *大值 | 136W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装 | 管件 |
其它名称 | *IRF3315 |
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