现货供应2SK4107FT/ MOS管/场效应管/IGBT 原装

材料：
GE-N-FET锗N沟道
种类：
*缘栅(MOSFET)
型号/规格：
2SK4107FT
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
品牌/商标：
TOSHIBA/东芝
用途：
SW-REG/开关电源
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
原装：
原装
封装/规格：
TO-*

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新品上架

商品信息 更新时间：2013-04-13

标准包装50
类别分立半导体产品
FET - 单
系列-
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能标准
漏源*电压 (Vdss)500V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时）15A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值）400 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值）4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)48nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2450pF @ 25V
功率 - *大值150W
安装类型通孔
封装/外壳TO-*-3，SC-65-3
供应商器件封装TO-*（N）
包装散装