N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
FQPF10N60C
CER-DIP/陶瓷直插
FAIRCHILD/*童
SW-REG/开关电源
N沟道
增强型
标准型
600V
50W
类型:
电话:
联系人:马加鹏
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 新亚洲二期N1A048
∟ 快/超快/特快恢复二极管(39)∟ 肖特基二极管(14)∟ 其他二极管(1)
FQPF10N60C
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET -单
系列:QFET™
FET型:MOSFET N通道,金属氧化物
FET特点:标准型
漏*至源*电压(Vdss):600V
电流-连续漏*(Id) @ 25°;C:9.5A
闸电荷(Qg) @ Vgs:57nC @ 10V
在Vds时的输入电容(Ciss):2040pF @ 25V
功率-*大:50W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3全封装(直引线)
包装:管件
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司