FNK2302|MOS管的主要参数

型号/规格：
FNK2302
品牌/商标：
FNK
封装形式：
SOT23-3
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
贴片式
包装方式：
卷带编带包装

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产品分类

场效应管MOSFET(18)
∟ MOSFET(17)∟ 结型场效应管(1)
其他未分类(2)

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商品信息

　　乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。

　　FNK2302的产品说明
　　MOS管FNK2302采用先进沟道技术，提供优良的Rds（on），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护，或在其他的开关中的应用。
　　一般特点
　　◆VDS =20V）ID=4.0A的Rds（on）的<38 MO@ VGS=2.5V的Rds（on）的<32 MO@ VGS= 4.5V
　　◆高功率和电流移交能力
　　◆无铅产品被收购
　　◆表面贴装封装
　　应用
　　◆电池保护
　　◆负荷开关
　　◆电源管理

　　MOS管的主要参数
　　1.开启电压VT
　　·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
　　·标准的N沟道MOS管，VT约为3~6V;
　　·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2~3V.
　　2. 直流输入电阻RGS
　　·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
　　·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
　　·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
　　3. 漏源击穿电压BVDS
　　·在VGS=0（增强型）的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
　　·ID剧增的原因有下列两个方面：
　　（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿
　　（2）漏源极间的穿通击穿
　　·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID。
　　4. 栅源击穿电压BVGS
　　·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS.
　　5. 低频跨导gm
　　·在VDS为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
　　·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
　　·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
　　·一般在十分之几至几mA/V的范围内

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