存储器
MT
MT2301
SOT23-3
电话:86 0755 88608153
ST/意法
55NF06
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
NF/音频(低频)
SMD(SO)/表面封装
硅(Si)
电话:86 0755 83379393
TXY
TXY8205-6
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
电话:86 0755 23101655
7.2A
SMD(SO)/表面封装
AON5802,双N,DFN 2X5,30V 7.2A/30V 7.2A 2,0.02Ω
N-FET硅N沟道
AO
N沟道
*缘栅(MOSFET)
12
电话:0755-83683996
台产
9435SC SI9435A FDS9435A APM9435
*缘栅(MOSFET)
P沟道
耗尽型
DUAL/配对管
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
电话:86 0755 61303735
AOS/美国万代
AO4803A AOS4606 SP4606 SP4803A AO4800 AO8822 AO881
*缘栅(MOSFET)
P沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
电话:86 0755 61303735
SMD(SO)/表面封装
NC7SZ32M5X,NC7SZ04P5X
-65~150℃
P-FET硅P沟道
HA/行输出级
FAIRCHILD/*童
P沟道
结型(JFET)
手机:
IR/国际整流器
IRF3205SPBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:15817468549
国产
4N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机:
其他IC
IR/国际整流器
IRF3205
A/宽频带放大
0
P-DIT/塑料双列直插
0
GE-N-FET锗N沟道
电话:15978772545
INFINEON/英飞凌
100N10 100N10N
结型(JFET)
N沟道
增强型
MOS-TPBM/三相桥
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:
UTC/友顺
2N60,TO-220
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机:
NIKO-SEM
P2804ND5G
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-ARR/陈列组件
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:13760163890
IR/国际整流器
STP60NF06
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
P-DIT/塑料双列直插
GE-P-FET锗P沟道
手机:
TOSHIBA/东芝
GT20J321
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机:15818625884
ST/意法
STP75NF75
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机:13632550734
SD
SD2310A
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:
FUJI/富士通
K3673
结型(JFET)
N沟道
增强型
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
手机:13342773621
IR/国际整流器
IRF7306
结型(JFET)
P沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
手机:
是
*
AO3401 AO3400 AO3402 AO3406 AO3407 SI2301DS SI2301BDS SI2307DS SI2307BDS
功率
硅(Si)
NPN型
1(V)
1(A)
手机:
意法半导体日前推出一款0N沟道场效应MOS晶体管——STx9NK60ZD,可用于高强度放电灯、高端镇流器和采用零压和零流开关技术的开关电源。STx9NK60ZD率先采用SuperFREDMesh新型高压工艺,由于这项先进技术在ST原有的基本高压系列