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拆机场效应管

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    4N60

  • 品牌/商标:

    *原装拆机

  • 封装形式:

    TO-220

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 腾达电子有限公司

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:广东揭阳
  • 电话:13927097739

    手机:13927097739

  • 品牌/商标:

    *

  • 型号/规格:

    各种型号*

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    IR

  • 型号/规格:

    IRF5210

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    IRF2807

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途:

    MIN/微型

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 杨泽滨(个体经营)

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:广东汕头
  • 手机:18029567921

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 型号/规格:

    IRF3205

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF3205

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    1*H60-100

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MW/微波

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    4N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    W16*60,W20NM60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    w45nb60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MW/微波

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 品牌/商标:

    *

  • 型号/规格:

    5N3011

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MW/微波

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    IXY美国电报半导体

  • 型号/规格:

    IXTK62N25 ,62N25

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    9N90

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    IRFZ48N

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    *

  • 型号/规格:

    IRF730 IRF 520 IRF 530 IRF 5210

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    IRF640N

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    12N60

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    MOS-TPBM/三相桥

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 是否提供加工定制:

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    DSEC60-03A

  • 应用范围:

    开关

  • 材料:

    硅(Si)

  • *性:

    NPN型

  • 击穿电压VCBO:

    V(V)

  • 集电*允许电流ICM:

    A(A)

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    K1507

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FQPF9N50

  • 应用范围:

    放大

  • 材料:

    硅(Si)

  • *性:

    NPN型

  • 击穿电压VCBO:

    500(V)

  • 集电*允许电流ICM:

    9(A)

  • 结构:

    点接触型

  • 侯树彬

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:广东汕头
  • 手机:

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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