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金科
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COSMOS KSM-50502悬挂式双头离子风机可消除宽范围目标或不易接触区域的静电荷。其特点是快速消除静电 离子风覆盖面积大,设有离子针清洁器,离子发生指示灯,可连续调节风速,内置风机和高压电源供应器, 离子平衡电...
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华晶
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*缘栅(MOSFET)
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UNI/一般用途
WAFER/裸芯片
N-FET硅N沟道
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NCE
3050,3080,3010,3012,7580,7190,8580,8290,01H10等等
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
WAFER/裸芯片
GE-N-FET锗N沟道
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*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
N-FET硅N沟道
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CH3102
1089A
芯亮点
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BTA06.BTA08.BTA12.BTA24......
双向
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树脂封装
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=(A)
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二合一
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COMSO/冠西
半导体/光耦合继电器Solid State Relay - MOSFET Output
KAQV414S
常闭型
DC5(V)
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JGW-3M型光MOS继电器一组常开型光MOS继电器一、特点 该继电器为DIP8封装的陶瓷密封结构光MOS继电器,一组常开输出。该继电器*合G*1515A-2001《固体继电器总规范》规定的2类混合结构固体继电器的质量要求,筛选等级Y级。二、主要技术指标环境参数工作温度-55℃~105℃储存温度-55℃~125℃振动294m/s210Hz~3000Hz冲击14700m...
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结型(JFET)
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增强型
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SMD(SO)/表面封装
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结型(JFET)
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CER-DIP/陶瓷直插
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我司荣幸地宣布一项具有里程碑意义的技术成果:经过团队的不懈努力和深入研究,我们成功研发出了业界首颗高性能8发8收CMOS工艺4D成像雷达射频单芯片。目前芯片测试性能优异,已经在Tier1开始正式送样,调试开发。 这一创新成果不仅彰显了圭步微电子在高性...
近日,技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威(SmartSens,股票代码688213),全新推出笔记本电脑与平板系列超小尺寸全局快门图像传感器SC038MPC(0.3MP)及SC020MPC(0.16MP)。两款新品都采用了思特威先进的SmartGSTM-2 Plus技术,集高感度、无畸变、超低功耗等优...
imec逻辑技术副总裁Julien Ryckaert表示:“几十年来,用于高性能计算 (HPC) 的单片系统级芯片 (SoC)(如 CPU 和 GPU)的进步取决于 CMOS 扩展的成功。CMOS 为 SoC 开发人员提供了一个技术平台,使他们能够在同一基板上集成越来越多的功能。即使向多核架构发...
随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS? S...
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。 二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...
1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,...
开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中,开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能,开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中,开关被用做传输门,并加入了在标准逻辑电路没有的尺寸的灵活性。本节的目的是研究与CMOS集成...