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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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台湾WINMOST电磁阀WD-G03-C4-A2-N WD-G03-C2-D2-N
台湾WINMOST电磁阀WD-G03-C4-A2-N WD-G03-C2-D2-N
  • 型号/规格：

    WD-G03-C4-A2-N WD-G03-C2-D2-N

  • 品牌/商标：

    台湾WINMOST

台湾WINMOST电磁阀WD-G03-C4-A2-N WD-G03-C2-D2-N 我公司代理台湾峰昌WINMOST一系列液压元件，包括电磁阀，溢流阀， 节流阀，叠加阀，单向阀，止逆阀，减压阀，顺序阀，背压阀，调速阀， 齿轮泵，叶片泵，柱塞泵等液...

IPP045N10N3及INFINEON全系列MOSFET
IPP045N10N3及INFINEON全系列MOSFET
  • 型号/规格：

    IPP045N10N3

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

  • 功率特征：

    小功率

IGBT/MOSFET大功率开关电路*电容器
IGBT/MOSFET大功率开关电路*电容器
  • 品牌/商标：

    国产

  • 型号/规格：

    大功率关电路*电容

  • 介质材料：

    纸膜复合

  • 应用范围：

    模块突波吸收及大电流通过

  • 外形：

    管形

  • 功率特性：

    大功率

  • 频率特性：

    高频

  • 调节方式：

    微调

现货FSC*童原装*MOS管FJP13007H1
现货FSC*童原装*MOS管FJP13007H1
  • 品牌：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号：

    FJP13007H1

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    HF/高频(射频)放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GaAS-FET砷化镓

FairChild KSC5026MOS 15k
FairChild KSC5026MOS 15k
  • 是否提供加工定制：

    否

  • 产品类型：

    整流管

  • 是否*：

    是

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    KSC5026MOS

AOS MOS管 AO3400A
AOS MOS管 AO3400A
  • 是否提供加工定制：

    否

  • 品牌/商标：

    AOS/美国万代

  • 型号/规格：

    AO3400A

  • 种类：

    温度开关

  • 用途：

    电子

  • 体积：

    小型

  • 电压特性：

    低压

  • 形状：

    插片式

无锡美瑞克MOS620CH模拟示波器
无锡美瑞克MOS620CH模拟示波器
  • 型号/规格：

    MOS620CH

  • 品牌/商标：

    美瑞克

模拟示波器 MOS-620CH功能特点:◎双通道20MHz/40MHz/50MHz ◎高亮度、内刻度东芝示波管◎高灵敏度1mV/DIV ◎全编码扫速、衰减开关，轻巧，*◎Z轴调制输入功能 ◎ALT触发功能、可测量二路不相关信号◎Ch1信号输出功能...

功率场效应管（MOSFET）SMK1350F，可代FQPF13N50F
功率场效应管（MOSFET）SMK1350F，可代FQPF13N50F
  • 品牌/商标：

    AUK

  • 型号/规格：

    SMK1350F

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    SP/*外形

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

ST现货热买 75NF75 MOSFET
ST现货热买 75NF75 MOSFET
  • 品牌：

    ST意法半导体

  • 型号：

    STP75NF75

品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP75NF75 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插

*童MOS管及一系列产品
*童MOS管及一系列产品
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FQPF10N60

  • 应用范围：

    开关

  • 材料：

    硅(Si)

  • *性：

    NPN型

  • 击穿电压VCBO：

    0（V）

  • 集电*允许电流ICM：

    0（A）

  • 集电*耗散功率PCM：

    0（W）

示波器 LOD*TAR乐达LMOS640双踪
示波器 LOD*TAR乐达LMOS640双踪

    类型:双踪示波器 品牌:LOD*TAR乐达 型号:LMOS640 通道数:2 显示模式:； 输入:300（V） 量程:；（V/div） 外形尺寸:；（mm） 重量:；（kg）特点>·高亮度及高加速电压CRT、分辨高&m...

    MOS管替代NE*145
    MOS管替代NE*145
    • 品牌/商标：

      NCE/SSF

    • 封装形式：

      TO-220

    • *类别：

      无铅*型

    • 安装方式：

      直插式

    • 包装方式：

      盒装

    • 功率特征：

      *率

    IXYS沟道MOSFET管
    IXYS沟道MOSFET管

      品牌:IXYS 型号:IXTA200N075T 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:D/变频换流 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:GE-P-FET锗P沟道 开启电压:75（V） 夹断电压:75（V） 低频跨导:0.031（&...

      MOSFET管 IRFP4228PBF
      MOSFET管 IRFP4228PBF

        品牌:IR 型号:IRFP4228PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道本公司产品绿色*！原装！一手货源，大量现货库存！产品广泛有：...

        MOS管60N06
        MOS管60N06
        • 品牌：

          台湾

        • 型号：

          台湾EK60N06

        品牌/商标 台湾 型号/规格 台湾EK60N06 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 *肖特基势垒栅 开启电压 3（V） 夹断电压 3（V） 跨导 1（μ...

        现货销售Silikron硅能MOSFET SSF11NS60F，TO-220F封装
        现货销售Silikron硅能MOSFET SSF11NS60F，TO-220F封装
        • 品牌/商标：

          Silikron硅能

        • 型号/规格：

          SSF11NS60F

        • 种类：

          *缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型：

          N沟道

        • 导电方式：

          增强型

        • 用途：

          L/功率放大

        • 封装外形：

          CHIP/小型片状

        • 材料：

          N-FET硅N沟道

        CMOS—LED光电组合件(图)
        CMOS—LED光电组合件(图)
        • 品牌/型号：

          /

        CMOS—LED光电组合件产品一览表：（各产品系列的详细说明见“产品目录”） BCD码显示器； 十进制计数显示器； 十六进制码显示器； 简易BCD码显示器； *小型BCD码显示器； ±*号显示器； 可逆计数显示器； 可...

        场效应管 库存MOS管 GFP840代替IRF840 优质低价！
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        • 漏极电流：

          4.5

        • 封装外形：

          CER-DIP/陶瓷直插

        • 型号/规格：

          GFP730

        • 品牌/商标：

          guoyu

        • 种类：

          绝缘栅(MOSFET)

        • 低频噪声系数：

          22

        日本*K MOS系列联轴器
        日本*K MOS系列联轴器
        • 品牌/商标：

          日本*K MOS系列联轴器

        日本*K MOS系列联轴器一中国区域郭靖（）专卖—诚征*代理商 特点： 微型十字滑块弹性联轴器 体积小巧的联轴器，为全长缩短的形式 轴套和中间件之间的滑动能容许大的径向和角向偏差 使偏差引起的轴心负荷降至 高扭矩...

        MOS行业资讯

        • CMOS芯片，要变了

          imec逻辑技术副总裁Julien Ryckaert表示：“几十年来，用于高性能计算 (HPC) 的单片系统级芯片 (SoC)（如 CPU 和 GPU）的进步取决于 CMOS 扩展的成功。CMOS 为 SoC 开发人员提供了一个技术平台，使他们能够在同一基板上集成越来越多的功能。即使向多核架构发...

        • 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率

          随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...

        • 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET

          功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS? S...

        • 英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度

          电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞...

        • 纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度

          GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器...

        MOS技术资料

        • 采用沟槽MOS结构，使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”

          全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。　　二极管的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...

        • MOS管的四种类型

          1. N沟道增强型前面已经提及，图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底，导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道，开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源，同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中，...

        • MOS开关设计

          开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中，开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能，开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中，开关被用做传输门，并加入了在标准逻辑电路没有的尺寸的灵活性。本节的目的是研究与CMOS集成...

        MOS相关产品

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