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源头工厂
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  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFB4410

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    国产

  • 型号/规格:

    FSP8N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    AM/调幅

  • 封装外形:

    WAFER/裸芯片

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFZ24VPBF

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    TR/激励、驱动

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

  • 品牌:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号:

    2SK-10S1B

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

  • 型号/规格:

    SPW30N50C3

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    SL

  • 型号/规格:

    SVD830

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

    杭州金达电子有限公司是一家以经营国产及*分立电子元器件为主.多元化发展的公司.主要经营各类RX20珐琅/RX21被漆/RXG20波纹/RX27水泥/RXQ酚醛/RX24铝壳/ZB板形/DX7滑动变阻器等大功率线绕电阻以及 RV/RA/CP/FCP/HP/WS/WX/WH/WI/WDD等*.国产线绕.碳膜.实芯.多圈.玻璃釉.导电塑料电位器,上海永星开关厂KCD/KD2/AD系列开关/苏州...

    • 品牌/商标:

      IR/国际整流器

    • 型号/规格:

      IRF730

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 品牌/商标:

      SILAN/士兰微

    • 型号/规格:

      SVF12N60

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      S/开关

    • 封装外形:

      CHIP/小型片状

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 品牌/商标:

      Vishay/威世通

    • 型号/规格:

      SUD50N06-09L TO-252

    • 应用范围:

      功率

    • 材料:

      锗(Ge)

    • *性:

      N/P型

    • 击穿电压VCBO:

      1(V)

    • 集电*允许电流ICM:

      1(A)

    • 集电*耗散功率PCM:

      1(W)

      FQPF50N06 FQPF70N06 FQPF85N06 FQPF75N75 FQPF75N08 FQPF630FQPF630 FQPF640 FQPF634 FQPF730 FQPF740 FQPF830 FQPF840FQPF640 FQPF634 FQPF730 FQPF740 FQPF830 FQPF840FQPF13N50 FQPF20N50 FQPF1N60 FQPF2N60 FQP...

      • 杭州博煊电子有限公司

      • 供应商等级: 免费会员
      • 企业类型:经销商
      • 地区:浙江杭州
      • 电话:86 0571 81953268

        手机:13575732320

      • 品牌/商标:

        ST/意法

      • 型号/规格:

        STP75NF75

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 用途:

        UNI/一般用途

      • 封装外形:

        P-DIT/塑料双列直插

      • 材料:

        N-FET硅N沟道

        品牌/商标 ROHM 型号/规格 US6M2 TR 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/*组件

        • 品牌/商标:

          FAIRCHILD/*童

        • 型号/规格:

          IRF740N

        • 种类:

          *缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 导电方式:

          增强型

        • 用途:

          SW-REG/开关电源

        • 封装外形:

          CHIP/小型片状

        • 材料:

          N-FET硅N沟道

        • 品牌/商标:

          矽利康

        • 型号/规格:

          SSF6808

        • 种类:

          *缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 导电方式:

          增强型

        • 用途:

          SW-REG/开关电源

        • 封装外形:

          P-DIT/塑料双列直插

        • 材料:

          N-FET硅N沟道

        • 品牌/商标:

          NCE

        • 型号/规格:

          NCE7580

        • 种类:

          *缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 导电方式:

          耗尽型

        • 用途:

          L/功率放大

        • 封装外形:

          P-DIT/塑料双列直插

        • 材料:

          P-FET硅P沟道

        • 品牌/商标:

          台湾芯片

        • 型号/规格:

          8N60

        • 种类:

          绝缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 导电方式:

          增强型

        • 用途:

          DUAL/配对管

        • 封装外形:

          CHIP/小型片状

        • 材料:

          N-FET硅N沟道

          品牌:IR 型号:IRFP150N 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CHIP/小型片状 开启电压:100(V) 低频跨导:1(μS) *间电容:145(pF)供原装*IRFP150N,本公司真...

          • 类型:

            其他IC

          • 品牌/商标:

            ME微盟

          • 型号/规格:

            ME2301M

          • 封装:

            SOT23-3L

          • 批号:

            09

          • 品牌/商标:

            silan

          • 型号/规格:

            SVF10N65F

          • 种类:

            *缘栅(MOSFET)

          • 沟道类型:

            N沟道

          • 导电方式:

            增强型

          • 用途:

            SW-REG/开关电源

          • 封装外形:

            P-DIT/塑料双列直插

          • 材料:

            N-FET硅N沟道

          MOS行业资讯

          MOS技术资料

          • Excelpoint - 一文了解SiC MOS的应用

            作为第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度,能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸,提高系统电力转换效率,并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中,应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可...

          • 采用沟槽MOS结构,使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”

            全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。  二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...

          • MOS管的四种类型

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