IR/国际整流器
IRFB4410
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
手机:13858149001
国产
FSP8N60
结型(JFET)
P沟道
增强型
AM/调幅
WAFER/裸芯片
M*金属半导体
手机:
IR/国际整流器
IRFZ24VPBF
结型(JFET)
P沟道
耗尽型
TR/激励、驱动
CER-DIP/陶瓷直插
GE-P-FET锗P沟道
手机:
TOSHIBA/东芝
2SK-10S1B
结型(JFET)
P沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
P-DIT/塑料双列直插
IGBT*缘栅比*
手机:13757464648
SPW30N50C3
INFINEON/英飞凌
N沟道
结型(JFET)
增强型
手机:13738877588
SL
SVD830
结型(JFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机:
杭州金达电子有限公司是一家以经营国产及*分立电子元器件为主.多元化发展的公司.主要经营各类RX20珐琅/RX21被漆/RXG20波纹/RX27水泥/RXQ酚醛/RX24铝壳/ZB板形/DX7滑动变阻器等大功率线绕电阻以及 RV/RA/CP/FCP/HP/WS/WX/WH/WI/WDD等*.国产线绕.碳膜.实芯.多圈.玻璃釉.导电塑料电位器,上海永星开关厂KCD/KD2/AD系列开关/苏州...
手机:
IR/国际整流器
IRF730
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
手机:13666606114
SILAN/士兰微
SVF12N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
手机:
Vishay/威世通
SUD50N06-09L TO-252
功率
锗(Ge)
N/P型
1(V)
1(A)
1(W)
电话:0574-27855948
手机:13757464648
FQPF50N06 FQPF70N06 FQPF85N06 FQPF75N75 FQPF75N08 FQPF630FQPF630 FQPF640 FQPF634 FQPF730 FQPF740 FQPF830 FQPF840FQPF640 FQPF634 FQPF730 FQPF740 FQPF830 FQPF840FQPF13N50 FQPF20N50 FQPF1N60 FQPF2N60 FQP...
电话:86 0571 81953268
手机:13575732320
ST/意法
STP75NF75
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
UNI/一般用途
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:0571-88009842
电话:86 571 88009256
手机:13805746642
FAIRCHILD/*童
IRF740N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
电话:86 0571 88009135
矽利康
SSF6808
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:0571-81959128
NCE
NCE7580
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
P-DIT/塑料双列直插
P-FET硅P沟道
电话:571-88009772
台湾芯片
8N60
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DUAL/配对管
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
电话:0574-56334168
品牌:IR 型号:IRFP150N 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CHIP/小型片状 开启电压:100(V) 低频跨导:1(μS) *间电容:145(pF)供原装*IRFP150N,本公司真...
电话:571-86092636
其他IC
ME微盟
ME2301M
SOT23-3L
09
电话:0574-189678335
silan
SVF10N65F
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:571-87550591
常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用!符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101,有助于车载应用的高效运行和小型化。 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2。RF9x120BKFRARQ3...
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS S7T...
Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘...
知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款超小型封装的CMOS运算放大器“TLR377GYZ”,该产品非常适合在智能手机和小型物联网设备等应用中放大温度、压力、流量等的传感器检测信号。 智能手机和物联网终端越来越小型化,这就要求搭载的元器件...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出600 V CoolMOS 8 高压超结(SJ)MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS 7 MOSFET系列的先进特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOSFET实现了具有高成本...
作为第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度,能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸,提高系统电力转换效率,并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中,应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可...
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。 二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...
1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,...