SQJ469EP-T1-GE3
威世
SOP
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
个
电话:0755-23994969
手机:13312935954
WSS-TLP521
WSS
无铅环保型
电话:0755-83987159
手机:13926580099
AQV258HAX
PANASONIC(松下)
AQV258HAX
8.8×6.4×3.4mm(L×W×H)
50mA
5V
电话:0755-89453590
手机:13632661130
SI7913DN-T1-GE3
Vishay
制造商:Vishay 产品种类:MOSFET RoHS:详细信息 商标:VishaySemiconductors Id-连续漏极电流:5A Vds-漏源极击穿电压:-20V RdsOn-漏源导通电阻:37mOhms 晶体管极性:P-Channel Vgs-栅源极击穿电压:8V 工作温度:+150C Pd...
电话:0755-82533147
手机:13760331317
SSP4N60
*童
TO-220
无铅*型
直插式
散装
电话:0754-87724839
手机:13729221033
AO3401/3402
AO
SOT23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
电话:0755-83794617
手机:13510556993
SMD(SO)/表面封装
4P25
P-FET硅P沟道
UNI/一般用途
IR/国际整流器
P沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
电话:0755-83018842
手机:15018514168
NTR4501NT1G
ON
sot-23
无铅*型
贴片式
盒带编带包装
小功率
电话:0755-26435009
手机:13510107178
驱动IC
BP3122
12+ 全新原装现货
BPS
SOP-8
电话:0755-82736807
手机:13538288303
SMD(SO)/表面封装
*RB3030*L *RB2080* *RB3045*
GE-P-FET锗P沟道
MOS-INM/*组件
IR/国际整流器
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
电话:0755-82785300
20N60
INFINEON(英飞凌)
TO-220/TO-220F
无铅*型
直插式
管
大功率
电话:0755-83991299
手机:18665367670
FQPF4N90C
FSC
TO-220
无铅*型
直插式
管装
电话:0755-25413745
手机:13925254959
2SK2837
TOSHIBA
TO-*
无铅*型
直插式
单件包装
大功率
电话:0755-83235698
手机:13798225645
STP75NF75
ST
TO-220
无铅*型
直插式
单件包装
电话:0755-83559919
手机:13632707229
FMH23N50*CQ-P
FUJI
TO-*
无铅*型
直插式
盒装
大功率
电话:0755-83698117
手机:13613013648
AO3400/AO3401
AOS万代
SOT23-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
电话:0755-61105596
手机:13543290813
MDF7N65TH
MAGNACHIP美格纳
TO220F
无铅*型
直插式
管装
电话:0755-83579196
Lttelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管,这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案,专为保护碳化硅(SiC)MOSFET栅极免受过压事件...
Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管,这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案,专为保护碳化硅(SiC) MOSFET栅极免受过压...
索尼半导体解决方案公司(下称SSS)将推出用于车载摄像头的新款CMOS图像传感器“ISX038”。该款产品可通过两个独立系统分别输出RAW图像※1和YUV图像※2,水平领先。 本产品搭载自主研发的图像信号处理器(ISP)※3,能够分别以独立的系统处理并输出高级驾驶辅...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30 V产品组合,扩展了现有StrongIRFET 2系列产品的阵容,以满足大众市场对30 V解决方案日益增长的需求。新型功率 MOSFET产品经过优化,具有高可靠性和易用性,专为满...
意法半导体推出其第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术,在功率效率、功率密度和稳健性方面树立了新的标杆。 新技术不仅满足汽车和工业市场的需求,还特别针对牵引逆变器进行了优化,这是电动汽车 (EV) 动力系统的关键部件。该公司计划在 2027 年之前...
肖特基势垒二极管 (SBD) 具有几个区别于 pn 结二极管的关键特性。首先是它们的构造方式:在pn 结二极管中,结是在 p 型和 n 型半导体材料之间形成的,而 SBD 则具有金属-半导体结。由于与 pn 结二极管相比,金属-半导体结的电流势垒较小,因此它们具有较低的...
作为第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度,能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸,提高系统电力转换效率,并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中,应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可...
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。 二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...