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MOS

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    拆机三*管 IGBT MOS场效应管 三端稳压 可控硅

  • 品牌/商标:

    *

  • 封装形式:

    TO247 TO* TO220

  • *类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    袋装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    SSP4N60

  • 品牌/商标:

    *童

  • 封装形式:

    TO-220

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 汕头森米电子

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:0754-87724839

    手机:13729221033

  • 型号/规格:

    40N10

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    包装

  • 功率特性:

    中功率

  • 频率特性:

    中频

  • 汕头华丰电子

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 手机:13192369995

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    60N06

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    Toshiba/东芝

  • 型号/规格:

    K3568

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 苏春坚(个体经营)

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:86 0754 82330075

    手机:18025534495

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFP3206

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    STP3*90FP

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FDB60AN08AO

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    电子材料

  • 品牌/商标:

    1

  • 型号/规格:

    1

  • 额定电压:

    其他(V)

  • 型号/规格:

    MRF158

  • 产品系列:

    MRF158

  • 品牌/商标:

    MOTOROLA

  • 应用范围:

    通用

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    IRFP150

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    IRFP150

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    B170NF04

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 型号/规格:

    FS30KMJ-3

  • 品牌/商标:

    三菱

  • 封装形式:

    TO-220

  • *类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 反向电压:

    V

  • 整流电流:

    A

  • 汕头龙华电子

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:0754-89972696

    手机:13376619696

  • 型号/规格:

    STP75NF75 STP65NF06 STP60NF06

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 用途:

    L/功率放大

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    K3673

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    p75nf75

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    75NF75

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    WAFER/裸芯片

  • 材料:

    *肖特基势垒栅

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    P75NF75 STP75NF75

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    40P03

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 用途:

    VA/场输出级

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    K15N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

MOS行业资讯

MOS技术资料

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    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。  二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...

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