HP4503
MITSUBISHI(三菱)
普通型
模块
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可选择
英国
Superjunction MOSFET英国进口 北京特博万德科技有限公司代理英国ICEMOSTECH的高品质SOI wafer和SuperJunction MOSFET。 SOI wafer尺寸:4”(100mm),5”(125mm),6”(150mm)and 8"(200mm) SOI Spec.规...
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SI2305CDS-T1-GE3
VISHAY
SOT23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
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FUD3N40TU
FSC
TO-251
无铅*型
贴片式
单件包装
电话:010-82143800
MOS-620CH模拟示波器 服务说明:保修一年,提供上门服务、技术支持,满足使用要求后付款。 简述:高亮度、内刻度示波管、日本电子编码开关、轻巧、*、密闭式衰减开关*耐用、ATL触发功能、可测量二路不相关信号、 基...
电话:010-82621513
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IRFZ44NPBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
管装
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300ML
CRC
产品特性: 是一种含二硫化钼的固体润滑剂,渗透力强、松锈、除锈效果佳。 产品功能: 1.本产品可轻易渗透金属生锈部位,使锈块加速松动,以*除锈效果。 2.可协助已遭锈蚀机具、装备、*件的拆卸。 3.使用本产品可轻...
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RV24YN
COSMOS
无铅*型
工业电子电气设备
1K、2K、5K、10K、
直线式
25
电话:010-00000000
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IR/国际整流器
IRFS4010PBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
D/变频换流
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
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手机:13716465726
其他IC
0.125W Carbon Film Resistor 2M2 (30 Pack) 2.2M系列
3x MH8442 T*LA IC NEW / SN7442N SN系
dip *d131124
10+11+
2 6MHz 6M Hz 6 MHz 6.000 M Hz Crystal Oscillator H
27K OHM 0.25 WATT CARBON FILM R*ISTOR - PACK OF 1
551-0001-860 DIALIGHT YELLOW LED SMD LED
手机:
NXP/恩智浦
2N7002 12W
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
CHIP/小型片状
ALGaAS铝镓砷
手机:
砷铝化镓(GaAlAs)
否
否
MOS芯片电容产品由我厂研制的表面贴装新产品,它具有体积小、耐压高、漏电流小、温度性能好,*性高等特点,可广泛用于各种微波混合集成电路中作耦合、谐振、隔直、旁
YG-M10
MOS芯片电容
双菱
MOS芯片电容产品由我厂研制的表面贴装新产品,它具有体积小、耐压高、漏电流小、温度性能好,*性高等特点,可广泛用于各种微波混合集成电路中作耦合、谐振、隔直、旁
手机:
P-DIT/塑料双列直插
2SK1317
N-FET硅N沟道
A/宽频带放大
REN*AS/瑞萨
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
电话:010-62615935
IR/国际整流器
IRLR3410
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
电话:010-82675645
功率
LRC乐山/ON安森美
BSS138LT1G
SOT-23
硅(Si)
电话:010-82614133
品牌:美国*童 FairChild 型号:FQP46N15 封装形式:直插型 种类:*缘栅 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 营销方式:现货商品替换/技术参数对比表商品型号商品品牌 BVdss[V] ID [A] RDS(CN)[mΩ] PD[W] FQP4...
电话:010-82416060
品牌:国产 型号:4N60F 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 夹断电压:600(V)另:供应各类存储芯片 三端稳压 IC 单片机,*,欢迎来电来函咨询。北京世纪凌宇科技有限公...
电话:010-51806162
品牌:睿智 型号:RZ-F 快速系列1.RZ快速系列RZ快速系列产品是北京睿智奥恒科技有限公司(以下简称“睿智图像”)2007年自主研发的*、高清晰度工业相机。此系列相机为RZ系列产品的升级产品...
电话:010-51667616
AQW214
NAIS
北京鹏程通达电子科技有限公司是一家的电子元器件供应商,拥有资深的技术工程师和丰富的电子产品销售经验。目前代理经营继电器的品牌有:松下(NAIS)、欧姆龙(OMRON)、富士通高见择(FUJITSU、TAKAMISAWA) 、日...
电话:010-62654413
手机:13910009716
imec逻辑技术副总裁Julien Ryckaert表示:“几十年来,用于高性能计算 (HPC) 的单片系统级芯片 (SoC)(如 CPU 和 GPU)的进步取决于 CMOS 扩展的成功。CMOS 为 SoC 开发人员提供了一个技术平台,使他们能够在同一基板上集成越来越多的功能。即使向多核架构发...
随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS? S...
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前,英飞...
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。 二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...
1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,...
开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中,开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能,开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中,开关被用做传输门,并加入了在标准逻辑电路没有的尺寸的灵活性。本节的目的是研究与CMOS集成...