imec逻辑技术副总裁Julien Ryckaert表示：“几十年来，用于高性能计算 (HPC) 的单片系统级芯片 (SoC)（如 CPU 和 GPU）的进步取决于 CMOS 扩展的成功。CMOS 为 SoC 开发人员提供了一个技术平台，使他们能够在同一基板上集成越来越多的功能。即使向多核架构发...

随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...

功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS? S...

电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞...

GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器...

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。　　二极管的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...

1. N沟道增强型前面已经提及，图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底，导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道，开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源，同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中，...

开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中，开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能，开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中，开关被用做传输门，并加入了在标准逻辑电路没有的尺寸的灵活性。本节的目的是研究与CMOS集成...