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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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贴片MOS管 AM9926N SOP-8封装 原装现货
贴片MOS管 AM9926N SOP-8封装 原装现货

    美商亞柏半導體（Analog Power）AM2301P AM2302 AM42314 AM2321等AM全系列场效应管 贴片MOS管 价格优势 AM9926N SOP-8封装 原装现货 AM2323P Analog Power AM2300N Analog Power AM2301P Analog Power AM2302N Analo...

    MOS管
    MOS管
    • 品牌/商标：

      成启

    • 型号/规格：

      mos管

    • 控制方式：

      温控

    • *数：

      多*、多*

    • 封装材料：

      塑料封装

    • 封装外形：

      平底形

    • 关断速度：

      普通

    • 散热功能：

      不带散热片

    代理*AOS场效应管MOS管原装
    代理*AOS场效应管MOS管原装
    • 功率：

      2A

    • 批号：

      +13

    • 材料：

      M*金属半导体

    • 电源电流：

      1

    • 针脚数：

      直插

    • 类型：

      电源模块

    • 封装外形：

      SOT-23

    • 型号/规格：

      AOT430

    *POM+MOS2棒
    *POM+MOS2棒
    • 型号/规格：

      500mm*1000mm

    • 品牌/商标：

      安毅

    POM+MOS2棒【﹡ˊ】POM+MOS2棒【﹡ˊ】POM+MOS2棒 ---) POM+MOS2板/POM二硫化钼板/POM+MOS2棒/POM二硫化钼棒】POM+MOS2板/POM二硫化钼板/POM+MOS2棒/POM二硫化钼棒】，是聚甲醛添加二硫化钼*颗粒混合挤压而成的一种*...

    IRFZ44N 场效应管，MOS管
    IRFZ44N 场效应管，MOS管
    • 品牌/商标：

      IR/国际整流器

    • 型号/规格：

      IRFZ44N

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      P沟道

    • 导电方式：

      增强型

    CET/华瑞代理商 场效应管 MOSFET
    CET/华瑞代理商 场效应管 MOSFET
    • 型号/规格：

      CEP01N65 CEP01N6G CEP02N65A CEP02N65G CEP02N6A CEP02N6G CEP02N7G CEP02N9 CEP03N8

    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 品牌/商标：

      CET/华瑞

    • 用途：

      MOS-TPBM/三相桥

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    SI7848DN场效应管MOSFET,VISHAY系列*
    SI7848DN场效应管MOSFET,VISHAY系列*
    • 品牌/商标：

      Vishay/威世通

    • 型号/规格：

      SI7848DN

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      D/变频换流

    • 开启电压：

      3（V）

    • 夹断电压：

      3（V）

    IR场效应管，*童MOS管
    IR场效应管，*童MOS管
    • 品牌/商标：

      FAIRCHILD/*童

    • 型号/规格：

      1N60,2N60,3N60,4N60,5N60,6N60,7N60

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      MOS-ARR/陈列组件

    • 封装外形：

      CHIP/小型片状

    • 材料：

      ALGaAS铝镓砷

    *现货MOS管2SK241Y TO-92
    *现货MOS管2SK241Y TO-92
    • 品牌：

      TOSHIBA/东芝

    • 型号：

      2SK241Y

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      A/宽频带放大

    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    MOS场效应管2SC3356 2SC3357
    MOS场效应管2SC3356 2SC3357
    • 品牌：

      NEC/日本电气

    • 型号：

      2SC3356 2SC3357

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      MOS-ARR/陈列组件

    • 封装外形：

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料：

      GE-N-FET锗N沟道

    热销仙童 MOS管 FDP8N60 C TO-220
    热销仙童 MOS管 FDP8N60 C TO-220
    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 型号/规格：

      FPS2N60C TO-220

    • 材料：

      GE-N-FET锗N沟道

    • 用途：

      L/功率放大

    • 品牌/商标：

      FAIRCHILD/仙童

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 种类：

      绝缘栅(MOSFET)

    • 导电方式：

      增强型

    TRIMOS V604一维测高仪，数显测高仪
    TRIMOS V604一维测高仪，数显测高仪
    • 型号/规格：

      V604

    • 品牌/商标：

      瑞士TRIMOS

    瑞士Trimos公司研制*高度、垂直度测量仪，经过近四十年的历史，开发出了各种系列型号产品。有一维测高仪Trimos V304/V604/V1004，二维测高仪：VT300/VT600/VT1000/及高型：MT300/MT600/MT1000可测量高度、深度、垂直...

    东莞*童(Fairchild)FQPF8N60电源MOSFET
    东莞*童(Fairchild)FQPF8N60电源MOSFET
    • 型号/规格：

      FQPF8N60电源MOSFET

    • 品牌/商标：

      *童(Fairchild)

    • 封装形式：

      TO-220F

    • *类别：

      无铅*型

    • 安装方式：

      直插式

    • 包装方式：

      盒带编带包装

    IRIRFP37N50A 37A,500V场效应管MOSFET
    IRIRFP37N50A 37A,500V场效应管MOSFET
    • 品牌/商标：

      IR/国际整流器

    • 型号/规格：

      IRFP37N50A

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      D/变频换流

    • 封装外形：

      CHIP/小型片状

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    PN1032-PWM控制器和高压MOSFET
    PN1032-PWM控制器和高压MOSFET

      品牌/商标 台湾品田 型号/规格 PN1032 批号 10033QTB 封装 DIP-8L、SOP-8L 营销方式 * 产品性质 * 处理信号 模拟信号 制作工艺 半导体集成 导电类型 双*型 集成程度 小规模 规格尺寸 3（mm） 工作温度 0~70（℃） 静...

      • 刘朝蓉

      • 供应商等级： 免费会员
      • 企业类型：经销商
      • 地区:广东东莞

        • 电话：86 0769 86671873

        手机：18925847075

      现货功率MOS 管IRFZ44 IRFZ44NPBF 询价为准
      现货功率MOS 管IRFZ44 IRFZ44NPBF 询价为准
      • 品牌/商标：

        IR/国际整流器

      • 型号/规格：

        IRFZ44

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        耗尽型

      • 用途：

        HF/高频(射频)放大

      • 封装外形：

        CER-DIP/陶瓷直插

      • 类型：

        其他IC

      • 庄奇平

      • 供应商等级： 免费会员
      • 企业类型：经销商
      • 地区:广东东莞

        • 电话：0769-82127809

      功率MOSFET管
      功率MOSFET管
      • 型号/规格：

        SVD4N60F

      • 品牌/商标：

        sl

      • 封装形式：

        TO-220F

      • *类别：

        无铅*型

      • 安装方式：

        直插式

      • 包装方式：

        盒带编带包装

      • 功率特征：

        *率

      10N60 DG10N60 电源开关MOS 场效应管 *销售
      10N60 DG10N60 电源开关MOS 场效应管 *销售
      • 品牌/型号：

        DG 东光/10N60 DG10N60

      • 种类：

        *缘栅MOSFET

      • 用途：

        SW-REG/开关电源

      • 封装外形：

        CER-DIP/陶瓷直插

      • 材料：

        N-FET硅N沟道

      • 开启电压：

        30（V）

      • 夹断电压：

        2-4（V）

      • 跨导：

        10（μS）

      *现货MOS管IRF3205S
      *现货MOS管IRF3205S
      • 品牌/型号：

        IR美国国际整流器公司

      RF3205 概述 IR的HEXFET功率场效应管IRF3205采用*的工艺技术制造，具有*低的导通阻*。IRF3205这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF3205成为*其**、应用范围*广的器件。 TO-220封装...

      MOS管DIP 4N60 TO-22OF
      MOS管DIP 4N60 TO-22OF
      • 品牌：

        ST意法半导体

      • 型号：

        DIP 5N60 TO-22OF

      品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 DIP 5N60 TO-22OF 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 GEP/互补类型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 夹断电压 600（V） 低频跨导 0.1（&...

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      • 采用沟槽MOS结构，使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”

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      • MOS管的四种类型

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      • MOS开关设计

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