T70/T75双模热成像 30HZ
FLIR
30HZ
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DALSA达尔萨
24V
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TOSHIBA
TO253
无铅*型
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菲尼克斯偶合器 上海台普电气有限公司 林雅铃 MSN: PSI-MOS-PROFIB/FO 850 TPSI-MOS-PROFIB/FO 850 EPSI-MOS-RS422/FO 850 EPSI-MOS-RS485W2/FO 1300 EPSI-REP-PROFIBUS/12*PSM-LWL-KDHE*Y-980/1000PSM-LWL-RUGGED-...
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菲尼克斯
PSI-MOS-PROFIB/FO1300 T 菲尼克斯光纤转换器 上海积进自动化设备有限公司:经营德国菲尼克斯(PHOENIX)全系列电气产品和德国魏德米勒(weidmueller)全系列产品 SWITCH SFN 15TX/FX FL SWITCH SFN 14TX/2FX FL SWI...
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与G2R同一形状的功率MOS FET继电器 AC/DC两用,可实现1A负载开关性能额定规格型号输入额定电压使用电压阻*电压电平动作电压复位电压G3RZ-201SLNDC5VD*~6V400Ω&plu*n;20%D*V以下DC1V以上DC12VDC9.6~14.4V1.1kΩ&plu*n;20%DC9.6V以下DC24VDC19.2~28.8V2.2kΩ&...
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IRFB4115PbF
MOSFET N 通道
IR
*缘栅型场效应管/MOS场效应管
N型沟道
增强型
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FGA25N120ANTD
FAIRCHILD
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MOS FET
OMLON/欧母龙
G3VM-101HR
G3VM
大功率
见技术文档
见技术文档
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详见附页
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5-600V
G3VM
详见说明
0.5-1.0A
详见说明
详见说明
详见说明
详见说明
手机:
MOSFET继电器
*
G3VM-81LR (TR05)
G3VM
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详见附页
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手机:
否
FAIRCHILD/*童
NDS332P
放大
硅(Si)
NPN型
20(V)
点接触型
手机:
FM
FM4N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
N-FET硅N沟道
手机:
IR/国际整流器
IRFP460A
结型(JFET)
P沟道
增强型
ZF/中放
CER-DIP/陶瓷直插
1(V)
手机:
FAIRCHILD/*童
FDP6030BL
结型(JFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
手机:
IR/国际整流器
IRFB31N20DPBF
结型(JFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
5.5(V)
手机:
imec逻辑技术副总裁Julien Ryckaert表示:“几十年来,用于高性能计算 (HPC) 的单片系统级芯片 (SoC)(如 CPU 和 GPU)的进步取决于 CMOS 扩展的成功。CMOS 为 SoC 开发人员提供了一个技术平台,使他们能够在同一基板上集成越来越多的功能。即使向多核架构发...
随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS? S...
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前,英飞...
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。 二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...
1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,...
开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中,开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能,开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中,开关被用做传输门,并加入了在标准逻辑电路没有的尺寸的灵活性。本节的目的是研究与CMOS集成...