PM4356KP
台湾茂达
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
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手机:13510912602
FDB33N25TM
ON(安森美)
D2PAK
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
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手机:18948335007
TSD5N50/TO-252
韩国信安/TRU*EMI
贴片
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
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手机:13923792283
ZXMN2A14FTA
DIODES
SOT23-3
无铅环保型
贴片式
单件包装
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驱动IC
ST
E-L6258EXTR
SSOP36
直流电机驱动器,步进电机驱动
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TSA9N90/*
TRU*EMI
TO-*
无铅*型
直插式
管装
电话:0755-28231923-8003
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FQPF18N50V2
FSC
TO220F
无铅*型
直插式
盒带编带包装
*率
电话:0755-88257825
手机:15622829450
UTC/友顺
2N7002
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
0
电话:0769-33268359
手机:13790353210
DTU40N06
鼎日 din-tek
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
电话:075583679358
手机:15019204839
CEB80N75
CET
TO-263
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
小功率
电话:0769-86717085
手机:13580999598
AM4392N
AnalogPower
SO-8
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
电话:0755-32901610
手机:13632508790
AO3401
AOS
SOT23-3L
普通型
贴片式
卷带编带包装
小功率
电话:0755-82564322
手机:13418625599
TSF4N60M
信安
TO-220、TO-252
无铅环保型
直插式
单件包装
中功率
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LC2750
单色
CALEN
LED驱动器
超高亮
是
电话:0755-27932311
手机:15507589076
8205a
台湾晶群
sto-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
超大功率
电话:0755-83976135
手机:13580505003
AOS/美国万代
AO3415
绝缘栅(MOSFET)
P沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
电话:0755-81708613
手机:13828778687
2H1002A4
华晶
TO-252
无铅*型
贴片式
盒带编带包装
*率
电话:0755-82389111
手机:13798501946
驱动IC
SMD
SY7152
移动电源DC-DC
SILERGY
6
SOT23-6
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H01N70A
华昕
TO-92
无铅*型
直插式
盒带编带包装
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手机:13826590515
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前,英飞...
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...
长光辰芯发布全新4K线阵产品——GL7004,该产品具备高行频、低功耗、高集成度等优势,同时相比于同类型产品性价比更高。GL7004进一步拓展了长光辰芯的线阵产品线,为用户在光伏检测、铁路检测、2.5D视觉等工业应用场景提供了更加丰富的解决方案。 GL7004...
英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。 全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发,是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。 该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...
·专为分布式雷达架构设计的新一代雷达单芯片旨在促进从当今边缘计算传感器无缝过渡到未来分布式串流传感器的进程 ·恩智浦的完整系统解决方案支持软件定义雷达,包括360度传感器融合、更出色的传感器分辨率和基于人工智能的物体分类 ·汽车电子行业领...
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。 二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...
1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,...
开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中,开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能,开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中,开关被用做传输门,并加入了在标准逻辑电路没有的尺寸的灵活性。本节的目的是研究与CMOS集成...