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MOS行业资讯

  • 英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2,提高系统功率密度

    电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前,英飞...

  • 纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs, 促进AI数据中心功率提升,加快电动汽车充电速度

    GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...

  • 长光辰芯发布4K真彩色高速线阵CMOS图像传感器

    长光辰芯发布全新4K线阵产品——GL7004,该产品具备高行频、低功耗、高集成度等优势,同时相比于同类型产品性价比更高。GL7004进一步拓展了长光辰芯的线阵产品线,为用户在光伏检测、铁路检测、2.5D视觉等工业应用场景提供了更加丰富的解决方案。   GL7004...

  • 英飞凌推出 400V CoolSiC MOSFET 系列

    英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。  全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发,是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。  该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...

  • NXP - 恩智浦率先推出28nm RFCMOS雷达单芯片系列,助力软件定义汽车构建ADAS架构

    ·专为分布式雷达架构设计的新一代雷达单芯片旨在促进从当今边缘计算传感器无缝过渡到未来分布式串流传感器的进程  ·恩智浦的完整系统解决方案支持软件定义雷达,包括360度传感器融合、更出色的传感器分辨率和基于人工智能的物体分类  ·汽车电子行业领...

MOS技术资料

  • 采用沟槽MOS结构,使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”

    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。  二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...

  • MOS管的四种类型

    1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,...

  • MOS开关设计

    开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中,开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能,开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中,开关被用做传输门,并加入了在标准逻辑电路没有的尺寸的灵活性。本节的目的是研究与CMOS集成...

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