我司荣幸地宣布一项具有里程碑意义的技术成果：经过团队的不懈努力和深入研究，我们成功研发出了业界首颗高性能8发8收CMOS工艺4D成像雷达射频单芯片。目前芯片测试性能优异，已经在Tier1开始正式送样，调试开发。 这一创新成果不仅彰显了圭步微电子在高性...
近日，技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威(SmartSens，股票代码688213)，全新推出笔记本电脑与平板系列超小尺寸全局快门图像传感器SC038MPC(0.3MP)及SC020MPC(0.16MP)。两款新品都采用了思特威先进的SmartGSTM-2 Plus技术，集高感度、无畸变、超低功耗等优...
imec逻辑技术副总裁Julien Ryckaert表示：“几十年来，用于高性能计算 (HPC) 的单片系统级芯片 (SoC)（如 CPU 和 GPU）的进步取决于 CMOS 扩展的成功。CMOS 为 SoC 开发人员提供了一个技术平台，使他们能够在同一基板上集成越来越多的功能。即使向多核架构发...
随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS? S...
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。 二极管的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...
1. N沟道增强型前面已经提及，图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底，导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道，开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源，同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中，...
开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中，开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能，开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中，开关被用做传输门，并加入了在标准逻辑电路没有的尺寸的灵活性。本节的目的是研究与CMOS集成...
