WINSOK微硕
WST4041
SOT-23-3L
2018
P-Ch MOSFET
-40V
-6A
30mΩ
电话:0571-85317607
手机:13346194159
放大
Fairchild Semiconductor
KSC5026MOS
氮(N)
12
12
整流管
是
电话:0571-88010072
手机:13588103131
RJK5020
瑞萨
TO-247
普通型
直插式
散装
*功率
电话:0576-86994176
手机:13858675848
新诚
N531
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V/前置(输入级)
SMD(SO)/表面封装
ALGaAS铝镓砷
电话:86 0574 87916433
IR/国际整流器
IRFB4410
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
手机:13858149001
IR/国际整流器
IRF840
TO-220
结型(JFET)
N沟道
手机:
国产
FSP8N60
结型(JFET)
P沟道
增强型
AM/调幅
WAFER/裸芯片
M*金属半导体
手机:
IR/国际整流器
IRFZ24VPBF
结型(JFET)
P沟道
耗尽型
TR/激励、驱动
CER-DIP/陶瓷直插
GE-P-FET锗P沟道
手机:
TOSHIBA/东芝
2SK-10S1B
结型(JFET)
P沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
P-DIT/塑料双列直插
IGBT*缘栅比*
手机:13757464648
SPW30N50C3
INFINEON/英飞凌
N沟道
结型(JFET)
增强型
手机:13738877588
SL
SVD830
结型(JFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机:
杭州金达电子有限公司是一家以经营国产及*分立电子元器件为主.多元化发展的公司.主要经营各类RX20珐琅/RX21被漆/RXG20波纹/RX27水泥/RXQ酚醛/RX24铝壳/ZB板形/DX7滑动变阻器等大功率线绕电阻以及 RV/RA/CP/FCP/HP/WS/WX/WH/WI/WDD等*.国产线绕.碳膜.实芯.多圈.玻璃釉.导电塑料电位器,上海永星开关厂KCD/KD2/AD系列开关/苏州...
手机:
IR/国际整流器
IRF730
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
手机:13666606114
SILAN/士兰微
SVF12N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
手机:
Vishay/威世通
SUD50N06-09L TO-252
功率
锗(Ge)
N/P型
1(V)
1(A)
1(W)
电话:0574-27855948
手机:13757464648
FQPF50N06 FQPF70N06 FQPF85N06 FQPF75N75 FQPF75N08 FQPF630FQPF630 FQPF640 FQPF634 FQPF730 FQPF740 FQPF830 FQPF840FQPF640 FQPF634 FQPF730 FQPF740 FQPF830 FQPF840FQPF13N50 FQPF20N50 FQPF1N60 FQPF2N60 FQP...
电话:86 0571 81953268
手机:13575732320
IRF4905PBF
IR/国际整流器
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
电话:0574-86897190
手机:18667837937
ST/意法
STP75NF75
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
UNI/一般用途
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:0571-88009842
电话:86 571 88009256
手机:13805746642
FAIRCHILD/*童
IRF740N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
电话:86 0571 88009135
随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS? S...
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前,英飞...
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...
长光辰芯发布全新4K线阵产品——GL7004,该产品具备高行频、低功耗、高集成度等优势,同时相比于同类型产品性价比更高。GL7004进一步拓展了长光辰芯的线阵产品线,为用户在光伏检测、铁路检测、2.5D视觉等工业应用场景提供了更加丰富的解决方案。 GL7004...
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。 二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...
1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,...
开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中,开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能,开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中,开关被用做传输门,并加入了在标准逻辑电路没有的尺寸的灵活性。本节的目的是研究与CMOS集成...