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MOS

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源头工厂
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  • 品牌:

    WINSOK微硕

  • 型号:

    WST4041

  • 封装:

    SOT-23-3L

  • 批号:

    2018

  • FET类型:

    P-Ch MOSFET

  • 漏源电压(Vdss):

    -40V

  • 漏极电流(Id):

    -6A

  • 漏源导通电阻(RDS On):

    30mΩ

  • 应用范围:

    放大

  • 品牌/商标:

    Fairchild Semiconductor

  • 型号/规格:

    KSC5026MOS

  • 材料:

    氮(N)

  • 功耗:

    12

  • 反向浪涌电压,Vrrm:

    12

  • 产品类型:

    整流管

  • 是否进口:

  • 型号/规格:

    RJK5020

  • 品牌/商标:

    瑞萨

  • 封装形式:

    TO-247

  • *类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    *功率

  • 温岭东升电子

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:浙江台州
  • 电话:0576-86994176

    手机:13858675848

  • 品牌/商标:

    新诚

  • 型号/规格:

    N531

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V/前置(输入级)

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFB4410

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF840

  • 封装:

    TO-220

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 品牌/商标:

    国产

  • 型号/规格:

    FSP8N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    AM/调幅

  • 封装外形:

    WAFER/裸芯片

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFZ24VPBF

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    TR/激励、驱动

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

  • 品牌:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号:

    2SK-10S1B

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

  • 型号/规格:

    SPW30N50C3

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    SL

  • 型号/规格:

    SVD830

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

    杭州金达电子有限公司是一家以经营国产及*分立电子元器件为主.多元化发展的公司.主要经营各类RX20珐琅/RX21被漆/RXG20波纹/RX27水泥/RXQ酚醛/RX24铝壳/ZB板形/DX7滑动变阻器等大功率线绕电阻以及 RV/RA/CP/FCP/HP/WS/WX/WH/WI/WDD等*.国产线绕.碳膜.实芯.多圈.玻璃釉.导电塑料电位器,上海永星开关厂KCD/KD2/AD系列开关/苏州...

    • 品牌/商标:

      IR/国际整流器

    • 型号/规格:

      IRF730

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 品牌/商标:

      SILAN/士兰微

    • 型号/规格:

      SVF12N60

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      S/开关

    • 封装外形:

      CHIP/小型片状

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 品牌/商标:

      Vishay/威世通

    • 型号/规格:

      SUD50N06-09L TO-252

    • 应用范围:

      功率

    • 材料:

      锗(Ge)

    • *性:

      N/P型

    • 击穿电压VCBO:

      1(V)

    • 集电*允许电流ICM:

      1(A)

    • 集电*耗散功率PCM:

      1(W)

      FQPF50N06 FQPF70N06 FQPF85N06 FQPF75N75 FQPF75N08 FQPF630FQPF630 FQPF640 FQPF634 FQPF730 FQPF740 FQPF830 FQPF840FQPF640 FQPF634 FQPF730 FQPF740 FQPF830 FQPF840FQPF13N50 FQPF20N50 FQPF1N60 FQPF2N60 FQP...

      • 杭州博煊电子有限公司

      • 供应商等级: 免费会员
      • 企业类型:经销商
      • 地区:浙江杭州
      • 电话:86 0571 81953268

        手机:13575732320

      • 型号/规格:

        IRF4905PBF

      • 品牌/商标:

        IR/国际整流器

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 种类:

        绝缘栅(MOSFET)

      • 导电方式:

        增强型

      • 品牌/商标:

        ST/意法

      • 型号/规格:

        STP75NF75

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 用途:

        UNI/一般用途

      • 封装外形:

        P-DIT/塑料双列直插

      • 材料:

        N-FET硅N沟道

        品牌/商标 ROHM 型号/规格 US6M2 TR 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/*组件

        • 品牌/商标:

          FAIRCHILD/*童

        • 型号/规格:

          IRF740N

        • 种类:

          *缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 导电方式:

          增强型

        • 用途:

          SW-REG/开关电源

        • 封装外形:

          CHIP/小型片状

        • 材料:

          N-FET硅N沟道

        MOS行业资讯

        MOS技术资料

        • 采用沟槽MOS结构,使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”

          全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。  二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...

        • MOS管的四种类型

          1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,...

        • MOS开关设计

          开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中,开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能,开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中,开关被用做传输门,并加入了在标准逻辑电路没有的尺寸的灵活性。本节的目的是研究与CMOS集成...

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