新诚
N531
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V/前置(输入级)
SMD(SO)/表面封装
ALGaAS铝镓砷
电话:86 0574 87916433
IR/国际整流器
IRFZ24VPBF
结型(JFET)
P沟道
耗尽型
TR/激励、驱动
CER-DIP/陶瓷直插
GE-P-FET锗P沟道
手机:
TOSHIBA/东芝
2SK-10S1B
结型(JFET)
P沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
P-DIT/塑料双列直插
IGBT*缘栅比*
手机:13757464648
Vishay/威世通
SUD50N06-09L TO-252
功率
锗(Ge)
N/P型
1(V)
1(A)
1(W)
电话:0574-27855948
手机:13757464648
IRF4905PBF
IR/国际整流器
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
电话:0574-86897190
手机:18667837937
台湾芯片
8N60
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DUAL/配对管
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
电话:0574-56334168
其他IC
ME微盟
ME2301M
SOT23-3L
09
电话:0574-189678335
品牌:华瑞 型号:CEP6060R 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:逆变器 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 开启电压:60(V) 夹断电压:x(V) 低频跨导:x(μS) *间电容:x(pF) 低频噪声系数...
电话:0574-27660920
CJ
2N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
电话:0574-63804151
IR/国际整流器
IR2110
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-HBM/半桥组件
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
电话:0574-87296446
imec逻辑技术副总裁Julien Ryckaert表示:“几十年来,用于高性能计算 (HPC) 的单片系统级芯片 (SoC)(如 CPU 和 GPU)的进步取决于 CMOS 扩展的成功。CMOS 为 SoC 开发人员提供了一个技术平台,使他们能够在同一基板上集成越来越多的功能。即使向多核架构发...
随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS? S...
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前,英飞...
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。 二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...
1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,...
开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中,开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能,开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中,开关被用做传输门,并加入了在标准逻辑电路没有的尺寸的灵活性。本节的目的是研究与CMOS集成...