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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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SI2301CDS-T1-GE3稳压MOS管二三极管
SI2301CDS-T1-GE3稳压MOS管二三极管
  • 型号/规格：

    SI2301CDS-T1-GE3

  • 品牌/商标：

    Vishay（威世）

  • 封装形式：

    TO-236-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

功率MOSFET管IPW60R045CP
功率MOSFET管IPW60R045CP

    品牌:Infineon英飞凌 型号:IPW60R045CP 应用范围:功率功率MOSFET,600V,TO-247,IPW60R045CP,infineon*原装制造商: INFINEON 制造商编号: IPW60R045CPRoHS协从产品:是描述晶体管类型:Power MOSFET晶体管*性:N Channel...

    芯片IC CMOS模拟开关MAX4646EUK
    芯片IC CMOS模拟开关MAX4646EUK

      品牌:MAXIM 型号:MAX4646EUK 封装:SOT-23 批号:2010+ 类型:其他IC经营贴片IC、二、三*管、电容电阻、钽电容、直插电解电容为主,主要品牌有NICHICOM、ROHM、VISHAY、TOSHIBA、、NXP、FSC、NEC、ON、ZETEX、INFINEON、...

      场效应MOS管 UTC1N60AL(TO-92B)
      场效应MOS管 UTC1N60AL(TO-92B)

        品牌:* 型号:UTC1N60AL(TO-92B) 种类:结型(JFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-TPBM/三相桥 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600（V）本公司经营UTC POWER MOSFET，质量*，欢迎...

        MOSFET、IGBT驱动器IR2118S(直插)
        MOSFET、IGBT驱动器IR2118S(直插)

          品牌:IR 型号:IR2118S 批号:-- 封装:DIP 营销方式:现货 产品性质:* 制作工艺:半导体集成 集成程度:小规模 工作温度:0~70（℃）IR2118S：MOSFET、IGBT驱动器 封装：直插（DIP） *原装，大型厂家生产，价格便宜，质量...

          MOSFET、IGBT驱动器IR2118S(直插)
          MOSFET、IGBT驱动器IR2118S(直插)
          • 型号/规格：

            IR2118S

          • 品牌/商标：

            IR

          • *类别：

            无铅*型

          （MOSFET)场效应管
          （MOSFET)场效应管
          • 型号/规格：

            IXFN48N50

          • 品牌/商标：

            IXYS

          • 封装形式：

            塑料封装

          • *类别：

            无铅*型

          • 安装方式：

            直插

          • 包装方式：

            散装

          • 功率特征：

            大功率

          MOS行业资讯

          • Littelfuse 推出业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列

            Lttelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件...

          • Littelfuse推出首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列

            Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC） MOSFET栅极免受过压...

          • 索尼推出新款车载CMOS图像传感器 ISX038

            索尼半导体解决方案公司（下称SSS）将推出用于车载摄像头的新款CMOS图像传感器“ISX038”。该款产品可通过两个独立系统分别输出RAW图像※1和YUV图像※2，水平领先。 本产品搭载自主研发的图像信号处理器（ISP）※3，能够分别以独立的系统处理并输出高级驾驶辅...

          • 英飞凌发布面向大众市场应用的StrongIRFET 2功率MOSFET 30V产品组合

            英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30 V产品组合，扩展了现有StrongIRFET 2系列产品的阵容，以满足大众市场对30 V解决方案日益增长的需求。新型功率 MOSFET产品经过优化，具有高可靠性和易用性，专为满...

          • ST推出第四代SiC MOSFET

            意法半导体推出其第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术，在功率效率、功率密度和稳健性方面树立了新的标杆。　　新技术不仅满足汽车和工业市场的需求，还特别针对牵引逆变器进行了优化，这是电动汽车 (EV) 动力系统的关键部件。该公司计划在 2027 年之前...

          MOS技术资料

          • 利用沟槽 MOS 结构改善反向恢复时间

            肖特基势垒二极管 (SBD) 具有几个区别于 pn 结二极管的关键特性。首先是它们的构造方式：在pn 结二极管中，结是在 p 型和 n 型半导体材料之间形成的，而 SBD 则具有金属-半导体结。由于与 pn 结二极管相比，金属-半导体结的电流势垒较小，因此它们具有较低的...

          • Excelpoint - 一文了解SiC MOS的应用

            作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中，应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可...

          • 采用沟槽MOS结构，使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”

            全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。　　二极管的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...

          MOS相关产品

          电子元器件产品索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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