品牌/商标 FUI日本富士通 型号/规格 2SK2098 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 =（V） 夹断电压 =（V） 低频跨导 =...
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SX6812xMA系列是一款高压三相电机驱动器，具有正弦波驱动系统，支持霍尔元件和霍尔IC输入，提供高效、低噪声的电机控制。薄型 SOP36 封装包含控制 IC、栅极驱动 IC、三相输出元件和自举二极管，从而大幅度消减了电机驱动电路中的元件数量。 这不仅提高了驱...
技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威(SmartSens，股票代码688213)，全新推出工业面阵5MP全局快门近红外增强CMOS图像传感器SC538HGS。SC538HGS基于思特威先进的SmartGSTM-2 Plus技术，搭载了Lightbox IR?近红外增强技术，具备高感度、高分辨率、高信噪比、低...
PANJIT 推出新款 P 沟道和 N 沟道 MOSFET，旨在提升汽车电子系统的性能。P 沟道 MOSFET 通过了 AEC-Q101 认证，结温高达 175°C，为追求可靠性和简化电路的设计工程师提供了最佳选择。这些 MOSFET 最大限度地降低了 RDS(ON)，最大限度地提高了雪崩坚固性，采...
强茂推出最新的60V、100V和150V车规级MOSFET，此系列专为汽车和工业电力系统设计提供优异性能和效率。采用先进沟槽技术设计，与传统标准沟槽设计相比，为60V MOSFET的品质因数（FOM）减少68%、100V减少41%、150V则减少了53%，且显著降低电容，确保了最低的导...
贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。 贸...
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。 二极管的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...
1. N沟道增强型前面已经提及，图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底，导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道，开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源，同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中，...
开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中，开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能，开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中，开关被用做传输门，并加入了在标准逻辑电路没有的尺寸的灵活性。本节的目的是研究与CMOS集成...
