FHP840
韩国飞虹
TO-220
无铅环保型
直插式
管装 50个/管
电话:020-62794050
手机:13763389692
FH
7N60
*缘栅(MOSFET)
P沟道
增强型
电话:86 020 61972608
台湾CB
CB2301P
结型(JFET)
P沟道
增强型
SMD(SO)/表面封装
-20(V)
&plu*n;10(V)
电话:086 020 22320766
MOT美国摩托罗拉
12N06 TO-252
结型(JFET)
N沟道
增强型
MIX/混频
CER-DIP/陶瓷直插
GE-P-FET锗P沟道
手机:
FAIRCHILD/*童
FQPF2N60
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
GEP/互补类型
CER-DIP/陶瓷直插
*肖特基势垒栅
手机:
台湾封装,
SI3406
结型(JFET)
N沟道
增强型
UNI/一般用途
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:
TO-252
FQU2N60B
硅(Si)
FAIRCHILD/*童
功率
手机:13538763506
否
FAIRCHILD/*童
7030
开关
硅(Si)
N/P型
.(V)
.(A)
手机:
13+
N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
STP65NF06
CER-DIP/陶瓷直插
ST/意法
L/功率放大
N沟道
手机:13829723239
CER-DIP/陶瓷直插
FOPF4N60
ALGaAS铝镓砷
MIX/混频
FAIRCHILD/*童
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:13539968574
否
TOCOS
RV24YN
单圈
精密
合成膜
功率
旋转式
电话:86 020 83180189
我司是的功率器件分销商,致力于*推广:IR(国际整流器件),VISHAY(威世),ON(安森美),Infineon(英飞凌),ST(意法半导体),FUJI(富士),FAIRCHILD(*童)等国际知名品牌功率器件, 主要经营产品:IGBT模块,整流二*管模块,IG...
电话:86 020 82686602
手机:13632396789
电话:86 020 18927527006
手机:13543434566
TPMOS
503
法拉(*)
旁路
圆柱形
小功率
*频
可变
电话:020-37222619
BDB
4N60
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-HBM/半桥组件
CHIP/小型片状
ALGaAS铝镓砷
电话:020-62805077
STU6160
samhop
TO-252
无铅*型
直插式
盒带编带包装
大功率
电话:020-86438309
手机:13580325895
国产原装
SI2312
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
电话:020-89777825
存储器
国产 进品
74FC2245
4.5-5.5V
DIP20 SOP20 SSOP20
批号
电话:020-61006022
常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用!符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101,有助于车载应用的高效运行和小型化。 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2。RF9x120BKFRARQ3...
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS S7T...
Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘...
知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款超小型封装的CMOS运算放大器“TLR377GYZ”,该产品非常适合在智能手机和小型物联网设备等应用中放大温度、压力、流量等的传感器检测信号。 智能手机和物联网终端越来越小型化,这就要求搭载的元器件...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出600 V CoolMOS 8 高压超结(SJ)MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS 7 MOSFET系列的先进特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOSFET实现了具有高成本...
作为第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度,能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸,提高系统电力转换效率,并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中,应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可...
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。 二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...
1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,...