PANJIT 推出新款 P 沟道和 N 沟道 MOSFET,旨在提升汽车电子系统的性能。P 沟道 MOSFET 通过了 AEC-Q101 认证,结温高达 175°C,为追求可靠性和简化电路的设计工程师提供了最佳选择。这些 MOSFET 最大限度地降低了 RDS(ON),最大限度地提高了雪崩坚固性,采...
强茂推出最新的60V、100V和150V车规级MOSFET,此系列专为汽车和工业电力系统设计提供优异性能和效率。采用先进沟槽技术设计,与传统标准沟槽设计相比,为60V MOSFET的品质因数(FOM)减少68%、100V减少41%、150V则减少了53%,且显著降低电容,确保了最低的导...
贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术,开启了电力系统和能量转换的新篇章,适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。 贸...
随着设计人员打破应用性能界限,了解如何在应用中使用MOSFET至关重要。过去,具有给定的品质因数(FOM)的标准功率开关基本上适用于任何应用。但是,为了满足特定的应用要求或功能,越来越需要优化MOSFET参数组来更好地匹配这些要求。例如,应用可能要求软启动...
我司荣幸地宣布一项具有里程碑意义的技术成果:经过团队的不懈努力和深入研究,我们成功研发出了业界首颗高性能8发8收CMOS工艺4D成像雷达射频单芯片。目前芯片测试性能优异,已经在Tier1开始正式送样,调试开发。 这一创新成果不仅彰显了圭步微电子在高性...
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。 二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...
1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,...
开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中,开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能,开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中,开关被用做传输门,并加入了在标准逻辑电路没有的尺寸的灵活性。本节的目的是研究与CMOS集成...