isc/iscsemi
IRF640
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:0510-85346300
手机:15961889150
8N65
kevin
TO-220F
无铅环保型
直插式
单件包装
电话:0510-88150510
手机:13338119997
CSZ44V
华晶
TO-220
无铅*型
直插式
散装
电话:0510-13812020156
手机:13812020156
OGFD8070
美国OGFD
TO-220
普通型
直插式
单件包装
小功率
电话:0510-82864500
手机:18118913227
华晶
CS5B6002A
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
UNI/一般用途
WAFER/裸芯片
N-FET硅N沟道
电话:86 0510 81805625
手机:13771500160
NCE
3050,3080,3010,3012,7580,7190,8580,8290,01H10等等
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
WAFER/裸芯片
GE-N-FET锗N沟道
手机:13510096050
YR
IRF3205
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
N-FET硅N沟道
手机:
国产
2N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
手机:
JGW-3M型光MOS继电器一组常开型光MOS继电器一、特点 该继电器为DIP8封装的陶瓷密封结构光MOS继电器,一组常开输出。该继电器*合G*1515A-2001《固体继电器总规范》规定的2类混合结构固体继电器的质量要求,筛选等级Y级。二、主要技术指标环境参数工作温度-55℃~105℃储存温度-55℃~125℃振动294m/s210Hz~3000Hz冲击14700m...
手机:
国产
BUZ11
结型(JFET)
N沟道
增强型
D/变频换流
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机:
新洁能
NCE7580
结型(JFET)
N沟道
增强型
CC/恒流
手机:
矽利康
SSF7508
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
NF/音频(低频)
P-DIT/塑料双列直插
4(V)
手机:
NCE
NCE20N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机:
FUJI/富士通
2SK3683-01MR
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
电话:86 0510 85290742
YR
50N06 65N06 75N08
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
电话:86 510 68937001
手机:13951562276
电话:86 0510 82799953
MOS620CH
美瑞克
模拟示波器 MOS-620CH功能特点:◎双通道20MHz/40MHz/50MHz ◎高亮度、内刻度东芝示波管◎高灵敏度1mV/DIV ◎全编码扫速、衰减开关,轻巧,*◎Z轴调制输入功能 ◎ALT触发功能、可测量二路不相关信号◎Ch1信号输出功能...
电话:0510-82609256
手机:18912368040
OGFD
8680
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
电话:0510-82864500
32N20
OGFD
220
普通型
直插式
盒带编带包装
大功率
电话:18951514840
ST意法半导体
STP75NF75
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP75NF75 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插
电话:0510-82611162
imec逻辑技术副总裁Julien Ryckaert表示:“几十年来,用于高性能计算 (HPC) 的单片系统级芯片 (SoC)(如 CPU 和 GPU)的进步取决于 CMOS 扩展的成功。CMOS 为 SoC 开发人员提供了一个技术平台,使他们能够在同一基板上集成越来越多的功能。即使向多核架构发...
随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS? S...
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前,英飞...
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。 二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...
1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,...
开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中,开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能,开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中,开关被用做传输门,并加入了在标准逻辑电路没有的尺寸的灵活性。本节的目的是研究与CMOS集成...