8N65
kevin
TO-220F
无铅环保型
直插式
单件包装
电话:0510-88150510
手机:13338119997
CSZ44V
华晶
TO-220
无铅*型
直插式
散装
电话:0510-13812020156
手机:13812020156
OGFD8070
美国OGFD
TO-220
普通型
直插式
单件包装
小功率
电话:0510-82864500
手机:18118913227
华晶
CS5B6002A
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
UNI/一般用途
WAFER/裸芯片
N-FET硅N沟道
电话:86 0510 81805625
手机:13771500160
NCE
3050,3080,3010,3012,7580,7190,8580,8290,01H10等等
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
WAFER/裸芯片
GE-N-FET锗N沟道
手机:13510096050
YR
IRF3205
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
N-FET硅N沟道
手机:
JGW-3M型光MOS继电器一组常开型光MOS继电器一、特点 该继电器为DIP8封装的陶瓷密封结构光MOS继电器,一组常开输出。该继电器*合G*1515A-2001《固体继电器总规范》规定的2类混合结构固体继电器的质量要求,筛选等级Y级。二、主要技术指标环境参数工作温度-55℃~105℃储存温度-55℃~125℃振动294m/s210Hz~3000Hz冲击14700m...
手机:
国产
BUZ11
结型(JFET)
N沟道
增强型
D/变频换流
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机:
新洁能
NCE7580
结型(JFET)
N沟道
增强型
CC/恒流
手机:
矽利康
SSF7508
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
NF/音频(低频)
P-DIT/塑料双列直插
4(V)
手机:
NCE
NCE20N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机:
OGFD
8680
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
电话:0510-82864500
32N20
OGFD
220
普通型
直插式
盒带编带包装
大功率
电话:18951514840
YR
20N03
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
电话:0510-68937001
NCE 新洁能
NCE20N65T
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:0510-85627637
手机:15961834960
是
ISC
2N6302
功率
硅(Si)
NPN型
平面型
直插型
电话:0510-85346980
IRF630/640
IR
塑料封装
无铅*型
直插式
散装
电话:0510-85169977
手机:13861894410
Lttelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管,这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案,专为保护碳化硅(SiC)MOSFET栅极免受过压事件...
Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管,这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案,专为保护碳化硅(SiC) MOSFET栅极免受过压...
索尼半导体解决方案公司(下称SSS)将推出用于车载摄像头的新款CMOS图像传感器“ISX038”。该款产品可通过两个独立系统分别输出RAW图像※1和YUV图像※2,水平领先。 本产品搭载自主研发的图像信号处理器(ISP)※3,能够分别以独立的系统处理并输出高级驾驶辅...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30 V产品组合,扩展了现有StrongIRFET 2系列产品的阵容,以满足大众市场对30 V解决方案日益增长的需求。新型功率 MOSFET产品经过优化,具有高可靠性和易用性,专为满...
意法半导体推出其第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术,在功率效率、功率密度和稳健性方面树立了新的标杆。 新技术不仅满足汽车和工业市场的需求,还特别针对牵引逆变器进行了优化,这是电动汽车 (EV) 动力系统的关键部件。该公司计划在 2027 年之前...
肖特基势垒二极管 (SBD) 具有几个区别于 pn 结二极管的关键特性。首先是它们的构造方式:在pn 结二极管中,结是在 p 型和 n 型半导体材料之间形成的,而 SBD 则具有金属-半导体结。由于与 pn 结二极管相比,金属-半导体结的电流势垒较小,因此它们具有较低的...
作为第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度,能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸,提高系统电力转换效率,并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中,应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可...
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。 二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...