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东芝MOS管

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源头工厂
  • 型号/规格:

    TK12A60U

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SK4107(F,T)

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-TPBM/三相桥

  • 封装外形:

    SP/*外形

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

  • 型号/规格:

    TK4A60D

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO-220SIS

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特征:

    大功率

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    2SK3565

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标:

    Toshiba/东芝

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    TK6A60D

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MAP/匹配对管

  • 封装外形:

    SP/*外形

  • 材料:

    SIT静电感应

  • 品牌/商标:

    UTC/友顺

  • 型号/规格:

    4N70L

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道,N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 属性:

    HV MOS

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    东芝原装* 开关电源场效应管 2SK2962

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    TK20A60U

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    VA/场输出级

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

    品牌:TOS日本东芝 型号:2SK2698 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600(V) 漏*电流:10(mA)*,高电压开关应用N沟道MOSFET...

    • 型号/规格:

      2SK2962

    • 品牌/商标:

      TOSHIBA(东芝)

    • 封装形式:

      TO-92MOD

    • *类别:

      无铅*型

    • 安装方式:

      直插式

    • 包装方式:

      盒带编带包装

    • 功率特征:

      大功率

      产品类型 调制二*管 品牌/商标 东芝 型号/规格 2SK3265 结构 点接触型 封装形式 直插型 发光颜色 双色 LED封装 有色透明(C) 出光面特征 侧向管 发光强度角分布 散射型 正向直流电流IF 00(A) 反向电压 00(V)

        品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2SK3265 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-FBM/全桥组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 700(V) 部件型号2SK3265 *性N沟 ...

        • 封装外形:

          P-DIT/塑料双列直插

        • 型号/规格:

          2SK2608

        • 材料:

          N-FET硅N沟道

        • 用途:

          SW-REG/开关电源

        • 品牌/商标:

          TOSHIBA/东芝

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 种类:

          *缘栅(MOSFET)

        • 导电方式:

          耗尽型

        • 品牌/型号:

          TOS日本东芝/2SK2611

        • 种类:

          结型JFET

        • 用途:

          DC/直流

        • 封装外形:

          CER-DIP/陶瓷直插

        • 材料:

          ALGaAS铝镓砷

        • 开启电压:

          0(V)

        • 夹断电压:

          0(V)

        • 跨导:

          0(μS)

          品牌/商标 TDK 型号/规格 2SK2837 应用范围 放大 功率特性 大功率 频率特性 *频 *性 PNP型 结构 肖特基 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 截止频率fT 500(MHz) 集电*允许电流ICM 500(A) 集电*耗散...

          • 品牌/商标:

            TOSHIBA/东芝

          • 型号/规格:

            2SK2037

          • 种类:

            *缘栅(MOSFET)

          • 沟道类型:

            N沟道

          • 导电方式:

            增强型

          • 用途:

            SW-REG/开关电源

          • 封装外形:

            SMD(SO)/表面封装

          • 材料:

            N-FET硅N沟道

          • 赵瑞霞

          • 供应商等级: 免费会员
          • 企业类型:经销商
          • 地区:广东深圳
          • 电话:0755-29021052

          • 品牌/商标:

            TOSHIBA/东芝

          • 型号/规格:

            2SK2996,2SK2611,2SK2608,2SK2690,2SK2231,2SK2837

          • 种类:

            绝缘栅(MOSFET)

          • 沟道类型:

            N沟道

          • 导电方式:

            增强型

          • 用途:

            MAP/匹配对管

          • 封装外形:

            CER-DIP/陶瓷直插

          • 材料:

            GE-N-FET锗N沟道

          • **:

          • 产品类型:

            调制二*管

          • 是否*:

          • 品牌/商标:

            TOSHIBA/东芝

          • 型号/规格:

            2SK3265

          电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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