IRF640N
FAIRCHILD(飞兆)
TO-220
无铅*型
直插式
单件包装
*率
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IRF4905PBF 产品型号 IRF4905 IRF4905 产品分类 金属氧化物半导体场效应晶体管 IRF4905 产品批号 08*无铅 IRF4905 产品封装 TO-220 IRF4905 产品包装 50pcs/管 IRF4905 产品说明 *柜台现货 IRF4905 产品应用 国*,家...
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NIF5002NT1G
ON(安森美)
SOT223
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
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IRFP150N
IR
TO-247
无铅环保型
直插式
管装
大功率
15
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P-DIT/塑料双列直插
ISA04N60A
N-FET硅N沟道
SW-REG/开关电源
美国IPS
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
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否
中信达
9610A
15(Kg)
MOS场效应管测试仪
MOS管测试仪
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ST MICRO
STB11NK40ZT4/ROH
其他
稳压IC
*
库存
T8*2L*0005
D2PAR
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其他IC
TOSHIBA/东芝
TPC8206
1
遥控
SOP8
12+
属性值
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其他IC
AO
AO4803
手机
SOP8
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AOS/美国万代
AO3404
结型(JFET)
N沟道
增强型
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
SOT-23
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放大
NEC/日本电气
NE3512S02
GaAS-FET砷化镓
0
0
0
CHIP/小型片状
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FAIRCHILD/*童
NDS351AN
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
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其他(V)
MRF158
MRF158
MOTOROLA
通用
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AOS/美国万代
AON7400
*缘栅(MOSFET)
MOSFET N 通道,金属氧化物
增强型
UNI/一般用途
8-SMD,扁平引线裸焊盘
N-FET硅N沟道
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通信IC
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CEB3070
TO263
11+
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LLCC/无引线陶瓷片载
APM3055
GE-N-FET锗N沟道
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APM/茂达
N沟道
结型(JFET)
增强型
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SMD(SO)/表面封装
AO3404
N-FET硅N沟道
AOS/美国万代
N沟道
结型(JFET)
增强型
SOT-23
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FAIRCHILD/*童
FDC6432SH-NL
结型(JFET)
N沟道
增强型
MW/微波
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
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上海
3DJ8
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
D-G双栅四*
SP/*外形
GaAS-FET砷化镓
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根据天眼查显示华为技术有限公司近日新增多条专利信息,其中一条发明专利名称为“一种集成电路及其制作方法、场效应晶体管”,公开号为CN116636017A。 专利摘要显示,本申请提供一种集成电路及其制作方法、场效应晶体管 ,涉及集成电路技术领域,可以简...
电力芯片专业企业KEC披露正在为韩国首屈一指的LCD产品制造商提供低压场效应晶体管(Low Voltage MOSFET),从2020年下半年开始供货,计划供货至2023年。 供货的低压场效应晶体管产品将用于跨国品牌一体式电脑的LCD所搭载的定时控制器板(以下称“T-CON板...
EPC公司和ADI公司推出参考设计,采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaNFET)。新型模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC公司的超高效eGaN?FET相结合,可实现高达2MHz的开关频率,从而实现高功率密度和低成本的DC/DC转换。 ...
宜普电源转换公司(EPC)新推100V、2.2mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2071),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面积受限的应用。 quan球行业ling先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓(eGaN?)功率场效应...
EPC9137是一款两相的48V/12V双向转换器,以小型化解决方案提供1.5kW功率,效率为97%,适用于轻度混合动力汽车和电池备用装置。 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9137,这是一款1.5kW的两相48V/12V双向转换器,占板面积小,效率为97%。该演示板的设计是可...
结型场效应晶体管 (JFET) 通常需要向栅极端子施加一些反向偏置电压。 在 HF 和 UHF 应用中,通常使用源电阻器 Rs 两端的电压提供此偏置(图 1)。 图 1:JFET 通常需要在栅极端子上施加一些反向偏置,在 HF/UHF 应用中,这通常使用电阻器 Rs 两端的电压...
了解场效应晶体管的原理和操作。 晶体管是当今电子电路中必不可少的半导体器件。它们可以执行两个主要功能。首先,作为它们的真空管前身,三极管,它们可以放大电信号。其次,它们可以充当计算机中的交换设备,进行信息处理和存储。场效应晶体管是通过电场...
Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装的 750V/5.4mΩ SiC FET,扩大了公司的性能领先地位,并扩大了其突破性的第 4 代 SiC FET 产品组合。该产品是 750V SiC FET 系列中的首款产品,R DS(on)范围为 5.4 mΩ 至 60 mΩ,将采用 TO...