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东芝场效应管

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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东芝场效应管2SK2837
东芝场效应管2SK2837
  • 型号/规格：

    2SK2837

  • 品牌/商标：

    TOS东芝

  • 封装形式：

    TO-*

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    大功率

东芝场效应管 TK12A65D K12A65D
东芝场效应管 TK12A65D K12A65D
  • 型号/规格：

    TK12A65D

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA（东芝）

  • 封装形式：

    TO-220F

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

2SK3767功率管，东芝场效应管替代2SK3067，原装现货。
2SK3767功率管，东芝场效应管替代2SK3067，原装现货。
  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格：

    2SK3767

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 用途：

    MOS-INM/独立组件

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

优势东芝场效应管2SK4026 TO-251*原装现货
优势东芝场效应管2SK4026 TO-251*原装现货
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    2SK4026

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    VA/场输出级

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

原装TOS东芝场效应管MOS管TPC8062-H现货
原装TOS东芝场效应管MOS管TPC8062-H现货
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    TPC8062-H

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

*价全系列东芝场效应管2SK3475等
*价全系列东芝场效应管2SK3475等
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    2SK3475

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    VHF/甚高频

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

东芝场效应管K2782 2SK2782 （见图片）
东芝场效应管K2782 2SK2782 （见图片）
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    K2782 2SK2782

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    DC/直流

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

*原装东芝场效应管K3878 9A 900V
*原装东芝场效应管K3878 9A 900V
  • 型号/规格：

    K3878

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 用途：

    MW/微波

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

现货东芝场效应管 K851 电子元件器件
现货东芝场效应管 K851 电子元件器件
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    K851

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    LMP-C/阻*变换

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

拆机东芝场效应管K2057,2SK2057
拆机东芝场效应管K2057,2SK2057
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    K2057,2SK2057

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    DIFF/差分放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

TOSHIBA东芝场效应管 TK13A65U K13A65U *原装
TOSHIBA东芝场效应管 TK13A65U K13A65U *原装
  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格：

    TK13A65U K13A65U

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途：

    MOS-TPBM/三相桥

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 导电方式：

    耗尽型

2SK2837 20A 500V * 东芝场效应管
2SK2837 20A 500V * 东芝场效应管
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    2SK2837

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    NF/音频(低频)

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

原装*IC TOS东芝场效应管2SK3878
原装*IC TOS东芝场效应管2SK3878
  • 加工定制：

    否

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    2SK3878

  • 应用范围：

    功率

  • 材料：

    硅(Si)

  • *性：

    NPN型

  • 击穿电压VCEO：

    D（V）

  • 集电*允许电流ICM：

    D（A）

K2611 东芝场效应管 *原装
K2611 东芝场效应管 *原装
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    K2611

  • 沟道类型：

    其他

  • 材料：

    硅(Si)

  • 集电*耗散功率PCM：

    8

  • 封装形式：

    直插型

  • 集电*允许电流ICM：

    9

  • *性：

    NPN型

  • 林锦基

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东深圳

    • 手机：

东芝场效应管K4107 TO-*
东芝场效应管K4107 TO-*
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    K4107

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 蔡少东

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东汕头

    • 电话：86 0754 84496208

    手机：13502790266

东芝场效应管2SK1489
东芝场效应管2SK1489
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    2SK1489

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

*原装东芝场效应管 MOS管K2837 2SK2837 20A500V150W TO-*
*原装东芝场效应管 MOS管K2837 2SK2837 20A500V150W TO-*
  • 加工定制：

    是

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    2SK2837

  • 应用范围：

    功率

  • 材料：

    硅(Si)

  • *性：

    NPN型

  • 击穿电压VCEO：

    500（V）

  • 集电*允许电流ICM：

    20（A）

2SK4108 K4108 TO-* 2SK4108(代替2SK2837) 日本东芝场效应管
2SK4108 K4108 TO-* 2SK4108(代替2SK2837) 日本东芝场效应管
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    2SK4108 K4108

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MAP/匹配对管

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

  • 彭志毫

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东深圳

    • 电话：86 0755 82719303

    手机：13760241411

东芝场效应管2SK2611
东芝场效应管2SK2611

    品牌/商标 FAIRCHILD/*童 型号/规格 *R2545*G 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 跨导 0（μS） *间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（d...

    *原装* 东芝场效应管 K30A-GR
    *原装* 东芝场效应管 K30A-GR
    • 品牌/商标：

      TOSHIBA/东芝

    • 型号/规格：

      K30A-GR

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      L/功率放大

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

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