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美格纳场效应管

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美格纳场效应管 MDD1761RH MDD1761
美格纳场效应管 MDD1761RH MDD1761
  • 品牌/商标：

    MagnaChip/美格纳

  • 型号/规格：

    MDD1761RH,SOT-252,SMD/MOS,,

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压：

    3（V）

MagnaChip代理商MOS管MDD2N60美格纳场效应管 MOS
MagnaChip代理商MOS管MDD2N60美格纳场效应管 MOS
  • 品牌/商标：

    美格纳

  • 型号/规格：

    MDD2N60

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

MDP8N60 8N60 韩国美格纳场效应管
MDP8N60 8N60 韩国美格纳场效应管
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    MDP8N60 8N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

  • 陈徐东

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东汕头

    • 手机：15322589370

MAGNACHIP美格纳场效应管 MDD4N60RH SOT-252
MAGNACHIP美格纳场效应管 MDD4N60RH SOT-252
  • 品牌/商标：

    MagnaChip/美格纳

  • 型号/规格：

    MDD4N60RH

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

  • 陈焕升

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东深圳

    • 手机：

代理美格纳场效应管MDU2654
代理美格纳场效应管MDU2654

    品牌:Magnachip 型号:Magnachip.MDU2654RH 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）注意，本...

    MDF9N50原装韩国美格纳场效应管
    MDF9N50原装韩国美格纳场效应管
    • 漏*电流：

      其他

    • 材料：

      GaAS-FET砷化镓

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 型号/规格：

      MDF9N50

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 品牌/商标：

      MAGNACHIP美格纳

    • 用途：

      HA/行输出级

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 朱銮娥

    • 供应商等级： 免费会员
    • 企业类型：经销商
    • 地区:广东深圳

      • 电话：0755-82539132

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