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场效应管

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    10N60

  • 品牌/商标:

    kevin

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 型号/规格:

    OGFD6703

  • 品牌/商标:

    OGFD

  • 封装形式:

    sot-23-6

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    小功率

  • 无锡羿胜华业科技公司

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:江苏无锡
  • 电话:0510-82864500

    手机:18118913227

  • 品牌/商标:

    华晶

  • 型号/规格:

    F501

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MIN/微型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    NCE

  • 型号/规格:

    NCE8205

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    YR

  • 型号/规格:

    IRF3205

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌:

    国产

  • 型号:

    2N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    2SK117GR

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    新洁能

  • 型号/规格:

    NCE75H21T

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    D/变频换流

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压:

    2-4(V)

  • 品牌/商标:

    玉祁东顺

  • 型号/规格:

    IRF3205

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    新洁能

  • 型号/规格:

    NCE7580

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 型号/规格:

    2SK4145B,K4145B

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    逆变器,控制器

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    NCE

  • 型号/规格:

    NCE20N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    VIPER12A VIPER12AS VIPER22A LM358D LM393 LM339 TJM4558 L7805 L7812 ST

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 品牌/商标:

    SR

  • 型号/规格:

    1-100A/50-600V

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    YR

  • 型号/规格:

    50N06 65N06 75N08

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 无锡亚伦科技有限公司

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产加工
  • 地区:江苏无锡
  • 电话:86 510 68937001

    手机:13951562276

    品牌:ST/意法型号:STP140NF75种类:结型(JFET)沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:A/宽频带放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:4(V) 夹断电压:75(V) 供应场效应管STP140NF75,1...

    • 品牌/商标:

      OGFD

    • 型号/规格:

      50N03

    • 种类:

      绝缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      A/宽频带放大

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 型号/规格:

      9N90

    • 品牌/商标:

      美国OGFD

    • 封装形式:

      TO-247/*

    • *类别:

      普通型

    • 安装方式:

      直插式

    • 包装方式:

      盒带编带包装

    • 功率特征:

      大功率

    • 无锡市谷峰科技

    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:生产企业
    • 地区:江苏无锡
    • 电话:18951514840

    • 品牌/商标:

      ALD

    • 型号/规格:

      ALD6008*、DT

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      SW-REG/开关电源

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 开启电压:

      2-4(V)

    • 型号/规格:

      MDP9N60

    • 品牌/商标:

      MAGNACHIP

    • 封装形式:

      TO-220

    • *类别:

      无铅*型

    • 安装方式:

      直插式

    • 包装方式:

      卷带编带包装

    • 功率特征:

      大功率

    场效应管行业资讯

    什么是场效应管?

    •   场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小。它还具有高输入阻抗,较好的热稳定性、抗辐射性。现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,但场效应管与晶体管又是不同的。
    • 场效应管

    场效应管技术资料

    • 绝缘栅型场效应管的主要参数

      有直流参数,包括开启电压、夹断电压、饱和漏极电流、输入电阻;交流参数,即低频跨导;极限参数,包括反向击穿电压和最大漏极功耗。  1.开启电压Ur  Ur是增强型MOS管的主要参数,当栅源电压UGs小于开启电压的绝对值时,场效应管不能导通。如3C03型P沟道...

    • 结型场效应管的主要参数

      1.夹断电压UP  在UDs为某一固定值下(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅—源极间所加的偏压即为夹断电压,用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V,3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。  2.饱和漏极电流/oss  在栅—源极...

    • FET知识:采用结型FET实现的放大电路经典案例

      结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例:  结型FET源极接地放大电路  电路结构:  该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...

    电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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