10N60
kevin
TO-220F
无铅环保型
直插式
单件包装
电话:0510-88150510
手机:13338119997
OGFD6703
OGFD
sot-23-6
普通型
贴片式
单件包装
小功率
电话:0510-82864500
手机:18118913227
华晶
F501
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MIN/微型
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
电话:86 0510 81805625
手机:13771500160
NCE
NCE8205
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:13510096050
YR
IRF3205
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
N-FET硅N沟道
手机:
国产
2N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
手机:
P-DIT/塑料双列直插
2SK117GR
A/宽频带放大
TOSHIBA/东芝
N沟道
结型(JFET)
增强型
手机:
新洁能
NCE75H21T
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
D/变频换流
N-FET硅N沟道
2-4(V)
手机:
玉祁东顺
IRF3205
结型(JFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机:13861888702
新洁能
NCE7580
结型(JFET)
N沟道
增强型
CC/恒流
手机:
NEC/日本电气
2SK4145B,K4145B
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
逆变器,控制器
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机:
NCE
NCE20N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机:
ST/意法
VIPER12A VIPER12AS VIPER22A LM358D LM393 LM339 TJM4558 L7805 L7812 ST
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
ALGaAS铝镓砷
电话:86 0510 85290742
SR
1-100A/50-600V
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DC/直流
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:86 0510 83330185
YR
50N06 65N06 75N08
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
电话:86 510 68937001
手机:13951562276
品牌:ST/意法型号:STP140NF75种类:结型(JFET)沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:A/宽频带放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:4(V) 夹断电压:75(V) 供应场效应管STP140NF75,1...
电话:86 0510 82799953
OGFD
50N03
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:0510-82864500
9N90
美国OGFD
TO-247/*
普通型
直插式
盒带编带包装
大功率
电话:18951514840
ALD
ALD6008*、DT
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
N-FET硅N沟道
2-4(V)
电话:0510-80231870
MDP9N60
MAGNACHIP
TO-220
无铅*型
直插式
卷带编带包装
大功率
电话:0510-82607151
手机:13812005511
功率GaN解决方案可以减少器件数量、缩小外形尺寸并降低系统成本 基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比,新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ...
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650V功率GaNFET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比,新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaNFET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,适用于2kW至10kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关...
2015年5月20日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)在全球率先采用300毫米薄晶圆生产汽车功率场效应管。个产品系列OptiMOS?5<http://www.infineon.com/cms/e
irf4905价格分析:irf4905产品近一段时间销量较稳定,网上搜索、报价较多,零售价在4.00元,量大价优。irf4905基本参数:封装:TO220品牌:IR闸电荷(Qg)@Vgs:180nC@10V在Vds时的输入电容(Ciss):3400
场效应管在使用时除了注意不要使主要参数超过允许值外,对于绝缘栅型场效应管还应特别注意由于感应电压过高而造成的击穿问题。一般在使用时应注意以下几点:(1)场效应管在使用时要注意不同类型的栅源漏各极电压的极性。保证电压和电流不超过允许值。(2)为了
有直流参数,包括开启电压、夹断电压、饱和漏极电流、输入电阻;交流参数,即低频跨导;极限参数,包括反向击穿电压和最大漏极功耗。 1.开启电压Ur Ur是增强型MOS管的主要参数,当栅源电压UGs小于开启电压的绝对值时,场效应管不能导通。如3C03型P沟道...
1.夹断电压UP 在UDs为某一固定值下(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅—源极间所加的偏压即为夹断电压,用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V,3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。 2.饱和漏极电流/oss 在栅—源极...
结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例: 结型FET源极接地放大电路 电路结构: 该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...