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场效应管

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源头工厂
IR 场效应管
IR 场效应管
  • 型号/规格：

    IRFF230

  • 品牌/商标：

    IR

  • *类别：

    无铅*型

N沟道结型场效应管3DJ6(图)
N沟道结型场效应管3DJ6(图)
  • 品牌/商标：

    国产

  • 型号/规格：

    3DJ6

  • 类别：

    直插

  • 结构：

    合金型

  • 封装形式：

    TO-18

  • 材料：

    硅

  • *性：

    NPN型

  • 电流容量：

    小功率

3DJ9H场效应管
3DJ9H场效应管
  • 品牌：

    其他

  • 型号：

    3DJ9H

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

N沟道开关场效应管J113(图)
N沟道开关场效应管J113(图)
  • 品牌/商标：

    国产

  • 型号/规格：

    J113

  • 类别：

    直插

  • 材料：

    硅

  • *性：

    NPN型

  • 结构：

    合金型

  • 电流容量：

    小功率

  • 封装形式：

    金属封装

N沟道MOS双栅场效应管
N沟道MOS双栅场效应管
  • 型号/规格：

    4DO2

  • 品牌/商标：

    MOS

  • 封装形式：

    其它

  • *类别：

    普通型

什么是场效应管?

  • 　　场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小。它还具有高输入阻抗，较好的热稳定性、抗辐射性。现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,但场效应管与晶体管又是不同的。

  • 目录

    场效应管

场效应管技术资料

  • 绝缘栅型场效应管的主要参数

    有直流参数，包括开启电压、夹断电压、饱和漏极电流、输入电阻；交流参数，即低频跨导；极限参数，包括反向击穿电压和最大漏极功耗。　　1.开启电压Ur　　Ur是增强型MOS管的主要参数，当栅源电压UGs小于开启电压的绝对值时，场效应管不能导通。如3C03型P沟道...

  • 结型场效应管的主要参数

    1.夹断电压UP　　在UDs为某一固定值下（如10V），使ID等于某一微小电流（如50mA）时，栅—源极间所加的偏压即为夹断电压，用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V，3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。　　2.饱和漏极电流/oss　　在栅—源极...

  • FET知识：采用结型FET实现的放大电路经典案例

    结型场效应管（JFET）是一种重要的半导体器件，具有输入阻抗高、噪声低等特点，因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例：　　结型FET源极接地放大电路　　电路结构：　　该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...

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