FAIRCHILD/*童
7N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机:
IR/国际整流器
IRFP150N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-ARR/陈列组件
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
电话:022-27375111
品牌:SGS法意电子 型号:STP75NF68 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:68(V) 夹断电压:68(V) 低频跨导:=(&a...
电话:022-27375111
有直流参数,包括开启电压、夹断电压、饱和漏极电流、输入电阻;交流参数,即低频跨导;极限参数,包括反向击穿电压和最大漏极功耗。 1.开启电压Ur Ur是增强型MOS管的主要参数,当栅源电压UGs小于开启电压的绝对值时,场效应管不能导通。如3C03型P沟道...
1.夹断电压UP 在UDs为某一固定值下(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅—源极间所加的偏压即为夹断电压,用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V,3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。 2.饱和漏极电流/oss 在栅—源极...
结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例: 结型FET源极接地放大电路 电路结构: 该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...