WINSOK微硕
WST4041
SOT-23-3L
2018
P-Ch MOSFET
-40V
-6A
30mΩ
电话:0571-85317607
手机:13346194159
IRFR4104TRPBF
IR
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
电话:0574-86096610
手机:13738460258
2SK4145
NEC
TO-220
普通型
直插式
散装
*功率
电话:0576-86994176
手机:13858675848
CHIP/小型片状
50N03
GE-N-FET锗N沟道
MOS-HBM/半桥组件
NIKOS
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
电话:86 0577 88224559
P-DIT/塑料双列直插
PTP/F8N80
N-FET硅N沟道
SW-REG/开关电源
PUOLOP
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
手机:
IRF630
创博
直插型
普通型
直插式
散装
电话:0571-63342995
手机:13706813019
IRF640
奥星(OC)
塑料封装
无铅*型
直插
大功率
盒带编带包装
电话:0571-63342995
手机:13706813019
FRC
2N60 4N60 7N60
结型(JFET)
P沟道
增强型
、(V)
、(V)
、(μS)
手机:
IR/国际整流器
IRF840
结型(JFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
手机:13968800200
NS/国半
各种型号都有
结型(JFET)
N沟道
增强型
HF/高频(射频)放大
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:
IR/国际整流器
IRF2807
TO-220
结型(JFET)
N沟道
手机:
IR/国际整流器
IRFP064N
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
GEP/互补类型
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
手机:
INFINEON/英飞凌
IRF540NPBF
结型(JFET)
N沟道
增强型
20(V)
-20(V)
1(μS)
手机:13738877588
YAU日本GENERAL
8N60
结型(JFET)
N沟道
增强型
1(V)
1(V)
1(μS)
手机:
杭州金达电子有限公司是一家以经营国产及*分立电子元器件为主.多元化发展的公司.主要经营各类RX20珐琅/RX21被漆/RXG20波纹/RX27水泥/RXQ酚醛/RX24铝壳/ZB板形/DX7滑动变阻器等大功率线绕电阻以及 RV/RA/CP/FCP/HP/WS/WX/WH/WI/WDD等*.国产线绕.碳膜.实芯.多圈.玻璃釉.导电塑料电位器,上海永星开关厂KCD/KD2/AD系列开关/苏州...
手机:
SP/*外形
IRF530N
N-FET硅N沟道
IR/国际整流器
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
手机:
gy
10N60 12N60 8N60 5N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
手机:
TOSHIBA/东芝
TK80A08K3
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
手机:13666606114
CER-DIP/陶瓷直插
4N65 T0-220
ALGaAS铝镓砷
SW-REG/开关电源
SILAN/士兰微
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
电话:86 0574 87737972
品牌:FAIRCHILD/*童型号:5N60种类:*缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:L/功率放大封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:SIT静电感应开启电压:-(V) 夹断电压:-(V) 低频跨导:-(μS)...
电话:86 0571 88009063
手机:15957108206
功率GaN解决方案可以减少器件数量、缩小外形尺寸并降低系统成本 基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比,新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ...
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650V功率GaNFET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比,新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaNFET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,适用于2kW至10kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关...
2015年5月20日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)在全球率先采用300毫米薄晶圆生产汽车功率场效应管。个产品系列OptiMOS?5<http://www.infineon.com/cms/e
irf4905价格分析:irf4905产品近一段时间销量较稳定,网上搜索、报价较多,零售价在4.00元,量大价优。irf4905基本参数:封装:TO220品牌:IR闸电荷(Qg)@Vgs:180nC@10V在Vds时的输入电容(Ciss):3400
场效应管在使用时除了注意不要使主要参数超过允许值外,对于绝缘栅型场效应管还应特别注意由于感应电压过高而造成的击穿问题。一般在使用时应注意以下几点:(1)场效应管在使用时要注意不同类型的栅源漏各极电压的极性。保证电压和电流不超过允许值。(2)为了
1.夹断电压UP 在UDs为某一固定值下(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅—源极间所加的偏压即为夹断电压,用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V,3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。 2.饱和漏极电流/oss 在栅—源极...
结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例: 结型FET源极接地放大电路 电路结构: 该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...
场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种半导体器件,常用于放大、开关和调节电流。其工作原理基于半导体中的电场调制效应,主要有三种类型:金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOSFET)、绝缘栅...