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场效应管

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源头工厂
拆机场效应管4N60(图)
拆机场效应管4N60(图)
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    4N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    GaAS-FET砷化镓

大力场效应管IRF3205.IRF3710.IRFZ46.1010
大力场效应管IRF3205.IRF3710.IRFZ46.1010
  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格：

    15421

  • 材料：

    GaAS-FET砷化镓

  • 用途：

    MOS-FBM/全桥组件

  • 品牌/商标：

    ADV美国*半导体

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 导电方式：

    增强型

100%场效应管现货，13N80。优势。
100%场效应管现货，13N80。优势。
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    13N80

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    WAFER/裸芯片

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

充电器场效应管5N60/8N60/10N16/12N60
充电器场效应管5N60/8N60/10N16/12N60
  • 品牌/商标：

    韩国TSP

  • 型号/规格：

    TSP8N60

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GaAS-FET砷化镓

优势场效应管。AOD452
优势场效应管。AOD452
  • 品牌/商标：

    AOS万代

  • 型号/规格：

    AOD452

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    M*金属半导体

  • 臧志来

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:山东临沂

    • 电话：0539-8763626

*现货贴片场效应管 N312AD
*现货贴片场效应管 N312AD
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    N312AD

  • 封装：

    T0251

  • 批号：

    N729

  • 类型：

    其他IC

电动车控制器*场效应管AOT470代替STP75NF75 美国万代
电动车控制器*场效应管AOT470代替STP75NF75 美国万代
  • 品牌/商标：

    AOS/美国万代

  • 型号/规格：

    AOT470

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

批发各种75NF75场效应管
批发各种75NF75场效应管
  • 品牌：

    ST意法半导体

  • 型号：

    75n75

品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 75n75 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 ZF/中放 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 详见技术参数（V） 夹断电压 详见技术参数（V） ...

整流桥 快恢复 肖特基 IGBT模块 场效应管 固态继电器 时间继电器
整流桥 快恢复 肖特基 IGBT模块 场效应管 固态继电器 时间继电器
  • 是否提供加工定制：

    是

  • 品牌/商标：

    台湾

  • 型号/规格：

    BR4010

  • 应用范围：

    整流

  • 整流元件：

    整流

  • 交流输入电压：

    常规（V）

  • 直流输出电压：

    常规（V）

  • 直流输出电流：

    常规（A）

拆机IR/场效应管/开关三*管PC60 20N60 5N60 6N60 8N60 12N60
拆机IR/场效应管/开关三*管PC60 20N60 5N60 6N60 8N60 12N60
  • **：

    是

  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRFPC60

  • 应用范围：

    开关

  • 材料：

    硅(Si)

  • *性：

    NPN型

  • 击穿电压VCEO：

    600（V）

  • 集电*允许电流ICM：

    16（A）

什么是场效应管?

  • 　　场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小。它还具有高输入阻抗，较好的热稳定性、抗辐射性。现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,但场效应管与晶体管又是不同的。

  • 目录

    场效应管

场效应管技术资料

  • 绝缘栅型场效应管的主要参数

    有直流参数，包括开启电压、夹断电压、饱和漏极电流、输入电阻；交流参数，即低频跨导；极限参数，包括反向击穿电压和最大漏极功耗。　　1.开启电压Ur　　Ur是增强型MOS管的主要参数，当栅源电压UGs小于开启电压的绝对值时，场效应管不能导通。如3C03型P沟道...

  • 结型场效应管的主要参数

    1.夹断电压UP　　在UDs为某一固定值下（如10V），使ID等于某一微小电流（如50mA）时，栅—源极间所加的偏压即为夹断电压，用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V，3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。　　2.饱和漏极电流/oss　　在栅—源极...

  • FET知识：采用结型FET实现的放大电路经典案例

    结型场效应管（JFET）是一种重要的半导体器件，具有输入阻抗高、噪声低等特点，因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例：　　结型FET源极接地放大电路　　电路结构：　　该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...

场效应管相关产品

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