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Vishay的新款80 V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达到业内先进水平,可显著提高功率密度、能效和热性能

日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT,将高边和低边TrenchFET Gen IV MOSFET组...

分类:新品快报 时间:2024/3/15 阅读:412 关键词:MOSFET

鸿海指责Lordstown怀着恶意申请破产

据彭博社报道,鸿海集团促进美国法院驳回Lordstown Motors 的破产申请案,或改为依据破产法第 7 章进行破产清算。 Lordstown 在 6 月下旬申请破产, Lordstown把破产归咎...

分类:业界动态 时间:2023/7/24 阅读:296 关键词:鸿海Lordstown

Lordstown指控鸿海违约, 鸿海回应:强烈反对,愿意协商

Lordstown Motors(RIDE)指控鸿海欲中止1.7亿美元的投资,海强烈反对关于LMC指控鸿海违约。主要是美国那斯达克交易所通知股价长期无法维持在1.00美元以上的条款,此次事违反了此前双方的投资协议内容。 但鸿海依旧愿意与LMC协商。达成...

分类:业界动态 时间:2023/5/5 阅读:285 关键词:鸿海

鸿海投资的Lordstown电动车出现质量问题,将全部召回

2月24日鸿海 MIH 伙伴、美国电动车新创 Lordstown 2月24日发布公告。首款皮卡车 Endurance 因为零组件质量与效能问题,皮卡车 Endurance 因为零组件质量与效能问题,将召回...

分类:业界动态 时间:2023/2/24 阅读:391 关键词:鸿海

Vishay推出薄型PowerPAK? 600 V EF系列快速体二极管MOSFET,其RDS(ON)*Qg FOM创业界新低

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用薄型PowerPAK10 x 12封装的新型第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay Siliconix n沟道 SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29 %,为通...

分类:新品快报 时间:2022/11/3 阅读:201 关键词:二极管

薄型PowerPAK 600V EF系列快速体二极管 MOSFET, RDS(ON)*Qg FOM创业界新低

Vishay推出采用薄型PowerPAK?10x12封装的新型第四代600VEF系列快速体二极管MOSFET。 VishaySiliconixn沟道SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29%,为通信、工业和计算应...

分类:新品快报 时间:2022/10/25 阅读:612

Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET,优异的RDS(ON) 导通电阻低至0.65 mW

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两款n沟道TrenchFET MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E,以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。为实现设计目标,60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具...

分类:新品快报 时间:2022/2/24 阅读:384 关键词:Vishay

Digi-Key 被 EE Awards Asia 亚洲金选奖授予 “金选三大电子零组件通路商” 称号

世界供应品类极为丰富、发货快速的现货电子元器件分销商Digi-Key Electronics日前宣布获评EE Awards Asia亚洲金选奖 “金选三大电子零组件通路商” 称号 。 EE Awards Asia 亚洲金选奖提供年度推荐榜单成为很佳设计解決方案的指南,评...

分类:名企新闻 时间:2021/11/27 阅读:568 关键词:Digi-Key

鸿海科技收购Lordstown Motors电动车工厂

富士康母公司鸿海科技集团以2.3亿美元(约合14.82亿元人民币)的价格收购了美国电动汽车初创公司LordstownMotors位于俄亥俄州的工厂,为未来生产电动车做准备。 据悉,鸿海...

分类:名企新闻 时间:2021/10/13 阅读:2321

Nexperia新型40V低RDS(on) MOSFET助力汽车和工业应用实现更高功率密度

基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新型0.55m?RDS(on)40V功率MOSFET,该器件采用高可靠性的LFPAK88封装,适用于汽车(BUK7S0R5-40H)和工业(PSMNR55-40SSH)...

分类:新品快报 时间:2021/5/28 阅读:3054

RDS技术

提高电源转换器性能的低 RDS(on) SiC FET(SiC FET 架构显示出多项优势)

碳化硅功率器件在功率转换效率、改进的高温性能和使用更简单的电路拓扑结构方面比硅功率器件具有多项优势。 在电动汽车牵引逆变器、DC/DC 转换器和车载充电器 (OBC) 等...

设计应用 时间:2022/12/1 阅读:378

采用RDS技术和FM-RE602编码器实现广播数据信息传送

在调频立体声广播中传送广播数据,是对FM声音广播多工应用的重大发展。近年来,数据广播在国际上发展非常迅速,并制定了相应的技术规范。如欧广联颁布的广播数据系统(RDS...

设计应用 时间:2021/5/20 阅读:766

Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%,且具备低导通电阻RDS(on)

解决电源电路中电容器课题的新技术登场!  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)确立了一种新的电源技术“Nano Cap ”,使用该技术,可以使包括汽车和工业设备在内的各种电源电路在外置电容器容量为极小的nF级(纳米级: 1...

新品速递 时间:2020/4/23 阅读:476

基于S1473X的RDS功能设计与实现

摘要:介绍了RDS功能在车载音响系统中的应用与实现,并设计低功耗硬件电路以适应车载供电的要求。RDS功能采用S1473X嵌入式芯片实现,通过软件编程实现了带RDS的数字调频立...

设计应用 时间:2012/2/15 阅读:4670

解析RDS广播系统的设计和应用

一、课题名称及来源近年来,世界上出现了一些数据系统广播电台。RDS(RemoteDataServices,远程数据服务)是允许我们处理客户端数据的一系列服务的统称。现在不用担心这方面的问题,因为RDS本身就是ADO的一部分,只有在需要传送和使用客...

其它 时间:2011/8/30 阅读:2251

分析功率MOS管RDS负温度系数对负载开关设计的影响

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是...

设计应用 时间:2011/8/27 阅读:6240

基于Richards变换与Kuroda规则的微带滤波器的设计

在无线通信系统中,高性能的低通滤波器起着非常重要的作用,它常被用来抑制系统的谐波输出。  微带线低通滤波电路是一种结构简洁的电路,非常便于电路的设计和实现。当频率较低时,射频滤波器的设计可以采用分立元件来实现;频率增大意...

设计应用 时间:2011/8/8 阅读:15492

理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性

通常,许多资料和教材都认为,MOSFET的导通电阻具有正的温度系数,因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时,具有正的温度系数导通电阻也增加,因此流过的电...

基础电子 时间:2009/11/9 阅读:3608

恩智浦半导体推出手机用FM RDS接收芯片

恩智浦半导体(NXPSemiconductors,前身为飞利浦半导体),推出了一款新型芯片TEA5766。这款芯片可以使手机制造商在新产品中加入具有RDS功能的FMradio。RDS(无线数据系统)早在90年代初期开始就已经成为欧洲汽车收音机的标准

新品速递 时间:2008/6/6 阅读:1974

Microsemi发布低Rds(on)的COOLMOS FREDFET和Server Devices器件

MicrosemiCorporation宣布扩展其COOLMOSFREDFET和Server系列,进一步推出在业界同类产品中具有导通压降Rds(on)的新器件。Microsem新的FREDFET和Server系列器件是设计用于大功率和高性能的开

新品速递 时间:2008/6/4 阅读:1950

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