X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案
公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂，由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平台反映了模拟应用...
时间：2023/6/7 阅读：155 关键词：电子
虽然退出智能手机市场，但老牌芯片厂商英特尔并未缺席5G。 近日，英特尔发布10纳米5G基站芯片凌动P5900SoC，以及针对5G的系列产品。“我们将网络基础设施视为的机遇。”...
分类：业界动态 时间：2020/2/29 阅读：1500 关键词：5G基站
据国外媒体报道，英特尔周一发布了新的微处理器，包括一款用于无线5G基站的10纳米芯片，以及用于数据中心的第二代至强（Xeon）处理器。 来自云计算公司的需求提振了服务...
去年由于14nm产能不足， Intel 今年初宣布增加对美国、爱尔兰、以色列三地的 晶圆厂 投资以提高产能。此外，Intel在以色列还将投资110亿美元建造新的晶圆厂，据悉这是面向未来的 10nm 及7nm工艺工厂，也将是Intel在以色列的一笔投资，建...
芯片大厂英特尔资深副总裁Gregory Bryant今（28）日在COMPUTEX 2019英特尔开幕主题演讲一口气介绍多项产品，其中，难产已久的10纳米终于在今年亮相，且出货时间比外界预期...
分类：名企新闻 时间：2019/5/29 阅读：806 关键词：10纳米处理器
三星电子于21日发表，成功开发出第三代10纳米级（1z）8GbDDR4DRAM，预计下半年量产。 据《ZDNetKorea》报导，三星电子表示，在二代10纳米级（1y）DRAM量产后，相隔16个月成功开发出10纳米级（1z）DRAM，并成功克服史上细微工艺的...
分类：新品快报 时间：2019/3/25 阅读：753
据三星电子官网消息，作为先进存储器技术的全球，三星电子今(21)日宣布第三代10纳米级(1z-nm)8GB超高性能和高功效的DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)...
分类：名企新闻 时间：2019/3/25 阅读：1005
在12月12日的英特尔“架构日”活动中，英特尔高管、架构师和院士们展示了下一代技术，并介绍了英特尔在驱动不断扩展的数据密集型工作负载方面的战略进展，从而为PC和其他智能消费设备、高速网络、无处不在的人工智能（AI）、云数据中心和...
英特尔工程长重申会在2019年底推出10纳米处理器，2020年供应给服务器市场。他还表示，10纳米和7纳米制程的研发团队是分开的，英特尔目前很满意7纳米制程的研发进度。 据报道，英特尔工程长Murthy Renduchintala在第39届纳斯达克投资...
智慧型手机和平板电脑这样的移动设备，现在通常都会配备足够的存储器(RAM)来与电脑桌机匹敌，但容量(多少GB)并不是衡量性能的标准。 移动数据速率随着5G连接而急剧上升，网络可能启用的应用程式应对设备的内存子系统提出越来越高...
