SK 海力士今天宣布，继 2022 年 8 月开发完成后，其 238 层 4D NAND 闪存已开始量产，并且正在与全球智能手机制造商进行产品兼容性测试。 SK海力士表示，“SK海力士采用...
3D NAND 堆栈发展至 96 层，这是接下来一段时间内的市场主流。 2018 年底，SK Hynix（SK海力士）发表 96 层堆栈快闪存储器，是为 TLC 类型、单一裸晶容量 512Gb（64GB）产品，还特地取了个有意思的 4D NAND 名词（本质和 3D NAND 相仿...
分类：名企新闻 时间：2019/5/13 阅读：467 关键词：SK海力士
海力士开始提供96层1Tb QLC 4D NAND样品，芯片面积缩小超过10%
海力士今天宣布已经开始提供容量为1Tb的QLC产品样品。海力士表示目前已经将自家的QLC技术应用到了旗下首款基于4D NAND的96层电荷陷阱闪存（CTE），希望可以更快的将其NAND产品组合扩展至96层的1Tb QLC产品，从而快速打开QLC市场，并加强...
SK Hynix量产4D NAND闪存：96层堆栈，速度提升30%
随着64层堆栈3D NAND闪存的大规模量产，全球6大NAND闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3D NAND，几家厂商的技术方案也不太一样，SK Hynix给他们的新闪存起了个4D NAND...
分类：名企新闻 时间：2018/11/6 阅读：654 关键词：4D NAND闪存
SK海力士成功开发出了层数最多的96层4D(四维)NAND闪存半导体。 11月4日，SK海力士公司宣布，“公司将主要应用于3D闪存的CTF结构与PUC技术结合起来，在上月全球率先研发出96层512Gbit的4D NAND闪存半导体，计划在今年年内进行批量产...
