目前安徽省印发《2019年省级调度重大项目计划的通知》，《通知》提到合肥长鑫12英寸存储晶圆制造基地项目一期研发阶段所有单体已完成，目前研发线晶圆片电性测试良好，成品芯片功能通过；正在进行良率提升以及量产准备工作。 位于安徽...
分类：业界动态 时间：2019/6/6 阅读：648 关键词：DDR4内存
美光科技(MU.US)旗下Crucial推出了首款32 GB DDR4 UDIMM，这些产品基于美光公司尚未发布的16 Gb内存芯片。 它的DIMM版本将于今年晚些时候推出，它将允许系统构建商和发烧友为其PC配备大量内存，而无需使用服务器专用模组。 美光科技的...
分类：新品快报 时间：2019/6/4 阅读：1451 关键词：DDR4内存芯片
三星最近开始对其32 Gb容量的DDR4内存芯片进行采样。 三星的32 Gb A-die DDR4-2666芯片由两个堆叠的16 Gb DDR4芯片组成，采用三星的10纳米级工艺技术生产。三星...
经历了大起大落之后，目前内存的价格基本稳定，换购内存的需求也相应增加。 鲁大师近日发布了2019年Q1季度PC端内存性能排行榜，芝奇DDR4高频内存条大获全胜，占据了榜单40%的位置。 芝奇DDR4 4000MHz夺冠 排行数据来源于2019.1....
三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。量产时间预计在今年下半年，成品的8GB DDR4模组也在验证中，目标领域是下一代企业级服务器和...
分类：名企新闻 时间：2019/3/22 阅读：813
三星首发12GB LPDDR4X内存：速率4266Mbps，二代10nm级工艺
DRAM内存芯片由涨转跌，而且跌幅还会继续扩大，所以今年智能手机的内存容量还会继续增大，6GB入门、8GB主流、12GB才是高端了。在技术上，三星去年中就宣布量产新一代LPDDR5...
接下来我们会看到越来越多内置12GB内存的手机了。 现在，三星已经宣布，正式量产用于智能手机平台的12GB LPDDR4X内存，从首发的机型看，应该是自家的5G版Galaxy S10。 需要注意的是，之前12GB内存也曾量产了，但是只是LPDDR4，而...
日前，JEDEC固态技术协会发布了LPDDR5运行内存标准。 类似于UFS 3.0闪存，LPDDR5是目前在RAM上的标准。其支持以每秒6400MT的I/O速率，相比LPDDR4版提升了50%。另外，L...
分类：新品快报 时间：2019/2/23 阅读：680 关键词：LPDDR5内存
内存颗粒掌握在日韩国家手中，他们面对中国经济的强大，不断的制造阻碍，从中国这里获利。其中以内存颗粒，我国庞大的需求基数，每年送给韩国的钱，就能顶它一年经济收入的...
分类：业界要闻 时间：2018/12/21 阅读：740 关键词：内存DDR4
尽管DRAM内存涨价的日子在今年Q4季度结束了，不过经过两年的涨价积累，DDR4内存、LPDDR4移动内存整体价格依然高企，去年国内进口了价值886亿元的存储芯片，今年的进口额预计要过千亿美元了。目前DRAM内存生产主要掌握在三星、SK Hynix及...
分类：名企新闻 时间：2018/12/18 阅读：602 关键词：紫光
紫光国微在互动平台上表示，公司DDR4存储器芯片的开发工作已经基本完成，正在进行后续改进、完善及市场推广工作。下游制造代工的情况目前没有明显改善，产能仍然很难保证。长江存储目前主要专注于3D NAND存储器芯片的制造。 据悉，...
分类：名企新闻 时间：2018/12/7 阅读：549 关键词：存储器
或许很多小伙伴的电脑还在使用DDR3时代的内存，但这依然不能阻挡科技不断迭代的步伐。SK海力士官方宣布，已经研发出单颗容量16Gb(2GB)的下一代DDR5 DRAM内存颗粒，而且是款满足JEDEC标准规范的DDR。相对于目前主流的DDR4内存，全新规格的...
分类：业界动态 时间：2018/11/16 阅读：456 关键词：DDR5内存
SK Hynix推1Ynm的8Gb DDR4：生产效率提升20%，功耗降低15%
在全球DRAM内存芯片市场上，SK Hynix目前的市场份额达到了29%，仅次于三星的45%，位列全球第二，于美光。在DRAM技术上，今年三星及美光都宣布了新一代1Ynm工艺的DRAM内存芯片，SK Hynix日前也宣布开发出1Ynm工艺的8Gb DDR4内存，频率3200...
分类：名企新闻 时间：2018/11/13 阅读：887 关键词：SK Hynix
SK海力士1Ynm DDR4芯片研制完成：8Gb容量、功耗减少15%
SK海力士1Ynm DDR4芯片研制完成：8Gb容量、功耗减少15%SK Hynix（SK海力士）宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。 该芯片支持3200Mbps，即3200MH...
美光发布第二代4266MHz LPDDR4X内存：单片12Gb容量
美光（Micron）宣布推出旗下首款单片容量12Gb（1.5GB）的LPDDR4X低电压内存芯片，速度为4266Mbps，即4266MHz。 相较代LPDDR4X-4266内存，第二代产品的功耗下降了10%，...
