半导体设备业者透露，三星导入7nm制程进度不如预期，恐无法如原先规划在明年量产，反观台积电7nm将于明年第1季进行风险性试产，良率在既定进度内前进，预定明年第4季投片，...
作为的显示器生产领导设备商，Manz亚智科技凭借先进的研发技术及创新的设计理念，于近日宣布成功获得由惠科投建的国内首座G8.6TFT-LCD面板厂湿制程设备订单，同时，也接获中国首座G6面板厂IGZO技术湿制程设备订单。Manz亚智科技近日
分类：名企新闻 时间：2016/10/9 阅读：433
外电传出台积电7纳米制程可望提前在2017年进入试产，且4月开始接受客户下单，虽无法证实，但业界认为，三星电子（SamsungElectronics）、英特尔（Intel）其实没有将真正的...
近来，GlobalFoundries宣布将会推进7nmFinFET工艺，引发了行业对工艺节点、光刻等技术的探讨。本文是来自SemiEngineering2014年的一篇报道，带领大家了解7nm工艺及以后的半...
分类：业界动态 时间：2016/9/22 阅读：456 关键词：7nm
尽管高通（Qualcomm）计划重回台积电投产先进制程技术消息甚嚣尘上，但高通究竟是要等到台积电7纳米世代强势推出，还是10nm世代大放异彩之际紧急归队，目前业界仍莫衷一是...
分类：业界动态 时间：2016/9/14 阅读：1914 关键词：10nm
要判定FinFET、FD-SOI与平面半导体制程各自的市场版图还为时过早…尽管产量仍然非常少，全空乏绝缘上覆矽（fullydepletedsilicon-on-insulator，FD-SOI）制程有可能继Globalfoundries宣布12奈米
分类：业界要闻 时间：2016/9/14 阅读：548 关键词：半导体
明年下半年DRAM供给可能会供不应求，韩媒指出，存储器厂商转进20纳米制程的产能损失，或许会让DRAM陷入供给短缺，炒热行情。BusinessKorea12日报道，半导体和投资银行的业界消息指出，2017年DRAM需求预料将年增19.3%，不过20
分类：行业趋势 时间：2016/9/13 阅读：165 关键词：DRAM
台积电物联网业务开发处资深处长王耀东日前表示，针对未来5年带动晶圆代工成长的主要动能，其主要领域将会是在智能手机、高性能运算、物联网、以及车用电子等4大领域上。而...
分类：业界动态 时间：2016/9/8 阅读：197 关键词：7nm
半导体产业来到了一个十字路口：有些设计追求微缩至7奈米节点制程，但大多数设计其实还停留在28奈米或更旧的节点。就如同我们在两年多以前所预测，IC产业正分头发展，只有...
分类：业界动态 时间：2016/8/31 阅读：334 关键词：28nm
晶圆龙头台积电先进制程技术再次向前大步跃进，看好快充电源管理IC市场潜力，协同合作夥伴戴乐格半导体（DialogSemiconductor），将于明年第1季推出首颗氮化镓（GaN）手机...
分类：业界动态 时间：2016/8/27 阅读：435
7nm制程：英特尔因10nm进度延后;三星全力反扑；台积电值得期待
7纳米制程目前在128Mb静态随机存取记忆体(SRAM)良率已达40%以上，会是业界通过7奈米制程技术认证的厂商，明年第1季完成技术认证，预定2018年迈入量产。业界最关心的是7奈米...
晶圆代工厂联电1日宣布，其0.18微米双极-互补-扩散金氧半导体BipolarCMOSDMOS(BCD)制程技术平台，已通过业界最严格的AEC-Q100Grade-0车用电子矽芯片验证。未来，对于联电加紧脚步介入汽车电自市场领域，将有重大的影响。根
分类：新品快报 时间：2016/8/3 阅读：376
近日，英特尔10纳米制程产线终于开始运转，预料本季可正式展开制样试产，相关成本也已经纳入英特尔第三季预算。在此同时，英特尔也证实，以14纳米制程打造、代号为KabyLake...
晶圆代工厂联电近日宣布，其0.18微米双极-互补-扩散金氧半导体BipolarCMOSDMOS(BCD)制程技术平台，已通过业界最严格的AEC-Q100Grade-0车用电子矽芯片验证。未来，对于联电加紧脚步介入汽车电自市场领域，将有重大的影响。根
分类：新品快报 时间：2016/8/3 阅读：433
SamsungFoundry准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快闪记忆体嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。三星晶圆代工业务(SamsungFoundry)准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spi
